时间：2025/7/10 5:55:27
阅读：13
TESDN241BD82是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于开关和放大电路中。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热稳定性等特点。适用于各种功率转换和电机驱动应用，能够有效提高系统效率并降低能耗。
该器件属于N沟道增强型MOSFET，广泛应用于消费电子、工业控制和汽车电子领域。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：32A
导通电阻：2.4mΩ
栅极电荷：75nC
开关时间：ton=15ns, toff=20ns
结温范围：-55℃至175℃
1. 极低的导通电阻，可显著降低传导损耗。
2. 高速开关性能，适合高频应用。
3. 强大的浪涌电流能力，提高了系统的可靠性。
4. 小尺寸封装，节省PCB空间。
5. 符合RoHS标准，环保且安全。
6. 内置静电保护功能，增强了器件的抗干扰能力。
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. 直流无刷电机驱动器。
3. 电池管理系统（BMS）中的保护电路。
4. 工业自动化设备中的负载开关。
5. 汽车电子系统中的功率管理模块。
6. LED驱动器及各类功率转换应用。
IRFZ44N
STP32NF06
FDP5800
AO3400
