时间：2025/7/19 8:28:58
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EPC2L20N 是一款由 Efficient Power Conversion（EPC）公司制造的增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET），型号为 EPC2L20N。该器件基于先进的氮化镓（GaN）半导体技术，具有极低的导通电阻和极高的开关速度，适用于高效率、高频率的功率转换应用。EPC2L20N 采用先进的芯片级封装技术，具有较小的封装尺寸，同时提供出色的热性能和电性能，是替代传统硅基 MOSFET 的理想选择。
类型：氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
最大漏源电压（VDS）：200 V
最大连续漏极电流（ID）：15 A
导通电阻（RDS(on)）：16 mΩ
封装类型：芯片级封装（CSP）
工作温度范围：-55°C 至 150°C
栅极电荷（QG）：6.5 nC
输入电容（Ciss）：340 pF
EPC2L20N 采用先进的氮化镓半导体技术，具有极低的导通电阻（RDS(on)）和极小的封装尺寸，能够在高频下工作，同时保持高效率。其芯片级封装（CSP）设计减少了寄生电感，提升了开关性能，使其非常适合用于高频率功率转换器。此外，该器件具有较高的击穿电压和良好的热管理能力，能够在高温环境下稳定工作。
与传统硅基 MOSFET 相比，EPC2L20N 在开关损耗和导通损耗方面都有显著降低，从而提高了整体系统的能效。其栅极驱动电压范围宽，兼容常见的 5V 至 10V 驱动电路，方便在多种功率拓扑中使用。该器件还具备出色的短路耐受能力，适用于要求高可靠性的应用场合。
EPC2L20N 主要用于需要高效率和高频率操作的功率电子系统，如DC-DC转换器、同步整流器、负载点电源（POL）、无线充电系统、电机驱动器以及高密度电源模块等。由于其出色的开关性能和热管理能力，EPC2L20N 也适用于汽车电子、工业自动化和可再生能源系统中的功率转换部分。此外，该器件在服务器电源、电信设备电源和LED照明驱动器中也有广泛应用。
EPC2052, EPC2023, GaN Systems GS66508T
