型号：RXR035N03
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：100A
　　脉冲漏极电流（Idm）：400A
　　导通电阻（Rds(on)）：3.5mΩ @ Vgs=10V, Id=50A
　　导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ @ Vgs=4.5V, Id=50A
　　阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.0V
　　输入电容（Ciss）：2700pF @ Vds=15V
　　输出电容（Coss）：1000pF @ Vds=15V
　　反向传输电容（Crss）：150pF @ Vds=15V
　　总栅极电荷（Qg）：45nC @ Vgs=10V
　　开启延迟时间（td(on)）：12ns
　　关断延迟时间（td(off)）：35ns
　　二极管正向电压（Vf）：0.9V @ Is=10A
　　最大功耗（Pd）：125W
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：PowerPak SO-8L

RXR035N03具备卓越的导通与开关特性，其核心优势在于极低的导通电阻（Rds(on)），典型值仅为3.5mΩ，在高电流应用中显著降低传导损耗，提升系统能效。这使得它非常适合用于同步降压变换器中的下管或上管，尤其是在服务器、通信设备和工业电源中要求高效能量转换的场合。器件采用先进的沟槽结构设计，优化了载流子迁移路径，提高了单位面积的电流承载能力，从而实现小型封装下的高性能表现。此外，低栅极电荷（Qg）和低米勒电容（Crss）使其在高频开关环境下仍能保持出色的动态响应和较低的驱动功耗，有效减少开关损耗并提高电源整体效率。
　　该MOSFET具有良好的热稳定性和可靠性，其PowerPak SO-8L封装采用铜夹片连接技术，大幅降低了源极寄生电感和内部连接电阻，提升了功率密度和瞬态响应能力。这种封装还具备优异的散热性能，通过PCB背面的裸露焊盘可将热量高效传导至地层或散热器，延长器件寿命并增强系统鲁棒性。RXR035N03内置的体二极管具有较低的反向恢复电荷（Qrr），有助于减少反向恢复过程中的能量损耗和电磁干扰，特别适用于需要快速续流响应的应用如电机驱动和H桥电路。
　　器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，适应严苛的工业和车载环境。内置的静电放电（ESD）保护能力也增强了其在实际装配和运行中的耐用性。此外，RXR035N03经过严格的质量控制和可靠性测试，符合AEC-Q101车规级认证要求，可用于汽车电子系统中对安全性和稳定性要求较高的模块，如电动助力转向、车载充电机和DC-DC转换器。总体而言，这款MOSFET结合了高性能、小尺寸和高可靠性，是现代高密度电源设计的理想选择之一。

RXR035N03主要应用于各类需要高效、大电流功率切换的电子系统中。典型应用场景包括同步整流式DC-DC降压变换器，特别是在多相VRM（电压调节模块）中作为低边或高边开关使用，广泛见于服务器主板、GPU供电和CPU核心电源管理。其低Rds(on)和高电流能力确保在重负载条件下仍能维持低温升和高效率。此外，该器件也常用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关，能够承受频繁的充放电循环并提供可靠的过流保护功能。
　　在电机驱动领域，RXR035N03可用于H桥或半桥拓扑结构中作为主开关元件，驱动直流有刷电机或步进电机，适用于电动工具、家用电器和工业自动化设备。其快速开关特性和低延迟时间有助于实现精确的PWM调速控制。同时，该MOSFET也可作为高端或低端负载开关，用于电源路径管理、热插拔电路或便携式设备中的电源隔离，具备快速开启/关断能力和低静态功耗。
　　在通信电源、网络交换机和基站设备中，RXR035N03被广泛用于中间母线转换器（IBC）和POL（Point-of-Load）稳压器中，支持高频率操作以减小外围滤波元件体积。此外，由于其符合车规级标准，也被应用于电动汽车的车载充电机（OBC）、DC-DC转换器和辅助电源系统中，满足汽车电子对长期可靠性和温度适应性的严苛要求。

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　　 "RJK0356DPB",
　　 "SQJ482EP-T1-GE3",
　　 "IRLHS3563",
　　 "AOZ5311NQI-01",
　　 "FDMS86180"
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