KF5N50DZ-RTF/P 时间：2025/12/28 14:44:41 阅读：12

KF5N50DZ-RTF/P是一款由Kexin Electronics制造的N沟道功率MOSFET，主要用于高功率和高效率的电源管理应用。该器件设计用于在高电压和大电流条件下工作，具有低导通电阻、高击穿电压和良好的热稳定性。KF5N50DZ-RTF/P采用TO-220封装，适用于各种电源转换器、电机控制、开关电源和负载管理应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极-源极电压（VDS）：500V
　　栅极-源极电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：5A
　　功耗（PD）：40W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　导通电阻（RDS(on)）：≤1.2Ω
　　栅极电荷（Qg）：12nC
　　输入电容（Ciss）：520pF
　　封装类型：TO-220

特性

KF5N50DZ-RTF/P具有多个关键特性，使其适用于高电压和高功率应用。首先，其500V的漏极-源极电压能力使其能够在高电压环境下稳定运行，适用于各种电源转换系统。其次，该MOSFET具有较低的导通电阻（RDS(on) ≤1.2Ω），在导通状态下能够减少功率损耗，提高整体效率。
　　此外，KF5N50DZ-RTF/P采用TO-220封装形式，具有良好的散热性能，适用于需要较高功率耗散的应用。其栅极电荷（Qg）为12nC，确保了在高频开关应用中的低驱动损耗，适用于开关电源、DC-DC转换器和逆变器等电路。
　　该器件还具有良好的抗雪崩能力，能够在瞬态条件下提供更高的可靠性。此外，±30V的栅极-源极电压能力增强了其在不同驱动电路中的兼容性，降低了栅极驱动电路的设计复杂度。
　　从热管理角度来看，KF5N50DZ-RTF/P能够在-55°C至150°C的温度范围内正常工作，适应性强，适用于各种恶劣环境条件下的应用，如工业控制、自动化设备和电源管理系统。

应用

KF5N50DZ-RTF/P广泛应用于多种高电压和中高功率的电子系统中。常见的应用包括开关电源（SMPS）、电机驱动电路、LED照明电源、电池管理系统、DC-DC转换器以及各种工业自动化和控制设备中的功率开关部分。此外，它也适用于UPS（不间断电源）、逆变器、充电器和功率因数校正（PFC）电路等领域。其高电压能力和良好的导通性能使其成为高效率电源设计中的理想选择。