时间：2025/6/24 13:00:46
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FDS7296N3是一款高性能的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由Fairchild Semiconductor（现为ON Semiconductor）生产。该器件适用于高频开关应用，例如DC-DC转换器、电机驱动和电源管理电路。其低导通电阻和快速开关特性使其成为高效率功率转换的理想选择。
FDS7296N3采用TO-252 (DPAK)封装，能够提供出色的散热性能和紧凑的尺寸，适合空间受限的应用场景。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：4.9A
导通电阻（Rds(on)）：8.5mΩ
栅极电荷：11nC
总功耗：2.4W
工作温度范围：-55℃ to +150℃
FDS7296N3具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低传导损耗并提高系统效率。
2. 快速开关能力，减少开关损耗，适合高频应用。
3. 较小的封装尺寸，便于在紧凑型设计中使用。
4. 高度可靠的制造工艺，确保长期稳定运行。
5. 支持广泛的漏源电压范围，增强应用灵活性。
6. 工作温度范围广，适应各种环境条件下的应用需求。
FDS7296N3广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. DC-DC转换器中的高频开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 笔记本电脑及平板设备的充电管理。
5. 电池保护和负载切换电路。
6. 各类便携式电子设备的电源管理系统。
FDP5570N, FDS6670A, IRF7404
