类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：60A
　　最大漏源电压（VDS）：100V
　　导通电阻（RDS(on)）：19mΩ
　　栅极电压（VGS）：±20V
　　功率耗散（PD）：200W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：TO-263（D2PAK）

PRF5S19060具备多项优异特性，首先是其低导通电阻，仅为19mΩ，这使得在高电流工作条件下，器件的导通损耗大幅降低，提高了整体系统的效率。
　　其次，该MOSFET的漏源电压耐受能力高达100V，适用于多种中高压电源转换应用，包括同步整流、H桥电机驱动和开关电源等。
　　其最大漏极电流可达60A，能够支持大功率负载的需求，满足工业和汽车电子对高可靠性和高稳定性的要求。
　　PRF5S19060采用TO-263（D2PAK）表面贴装封装，具有良好的热管理能力，适用于自动化生产流程，同时便于在PCB上安装和散热设计。
　　该器件还具备较高的栅极电压容限（±20V），增强了在复杂电磁环境下的抗干扰能力，减少了因栅极电压波动导致的误开通或损坏风险。
　　此外，PRF5S19060具有较宽的工作温度范围（-55°C至175°C），能够在恶劣环境下稳定工作，适用于汽车、工业控制、电源适配器等多种高温应用场景。
　　由于其出色的导热性能和结构设计，PRF5S19060可以在高频开关条件下保持较低的开关损耗，从而提升电源转换效率并减少发热问题。

PRF5S19060广泛应用于多种功率电子系统中，包括但不限于以下领域：
　　在电源管理模块中，如DC-DC降压/升压转换器、AC-DC电源适配器、同步整流电路等，该器件能够有效降低导通损耗，提高转换效率。
　　在电机驱动系统中，如无刷直流电机（BLDC）驱动器、步进电机控制器等，PRF5S19060可用于构建H桥电路，实现高效、高可靠性的双向电机控制。
　　在工业自动化设备中，如PLC电源模块、伺服驱动器、工业电源供应器等，该MOSFET可作为主开关或负载开关使用，提供稳定可靠的功率控制。
　　在汽车电子系统中，例如车载充电器（OBC）、电池管理系统（BMS）、电动助力转向系统（EPS）等，PRF5S19060的高耐压和大电流能力能够满足汽车电源系统的严苛要求。
　　此外，该器件也适用于太阳能逆变器、储能系统、UPS不间断电源等新能源领域，作为关键的功率开关元件使用。

SiHF5N100E, FDPF5N100, IRF3710, STP60NF06, FQA60N10