类型：功率MOSFET模块
　　通道数：双通道
　　漏源电压（VDS）：100V
　　漏极电流（ID）：82A
　　导通电阻（RDS(on)）：约2.2mΩ（典型值）
　　封装形式：双列直插式封装（DIP）或表面贴装封装（SMD）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　栅极电压范围：±20V
　　热阻（Rth）：约0.45°C/W（结到壳）

FL2D-10-822 功率MOSFET模块具备多项优良特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。在高电流条件下，该特性尤为关键，有助于减少发热，提高整体系统的稳定性和寿命。
　　其次，FL2D-10-822 采用先进的封装技术，确保了良好的散热性能。其热阻较低，能够有效地将热量从芯片传导至散热器或PCB板上，从而保持芯片的工作温度在安全范围内。这一特性对于高功率密度设计至关重要。
　　此外，该模块具备高电流承载能力，能够在高负载条件下稳定工作。其漏极电流额定值高达82A，适用于需要高功率输出的应用场景，如电机驱动、电池管理系统等。
　　FL2D-10-822 还具有快速开关特性，适用于高频开关电源和DC-DC转换器。高速开关能力不仅提高了系统的响应速度，还能减少开关损耗，从而进一步提升效率。
　　该器件的工作温度范围较宽，能够在极端环境条件下稳定运行，适用于工业、汽车等严苛环境中的应用。同时，其栅极电压范围为±20V，提供了较高的设计灵活性，适用于不同的驱动电路设计。

FL2D-10-822 广泛应用于多个高功率电子系统中。在电源管理系统中，它常用于DC-DC转换器，以实现高效的电压转换。其低导通电阻和高电流能力使其成为高功率密度设计的理想选择。
　　在电机驱动应用中，FL2D-10-822 可用于控制直流电机或步进电机的驱动电路，提供稳定的电流输出并减少能耗。其快速开关特性也有助于提高电机控制的精度和响应速度。
　　此外，该模块还可用于电池管理系统（BMS），特别是在电动汽车和储能系统中。其高可靠性和宽工作温度范围使其能够在复杂的电池管理环境中稳定运行。
　　工业自动化设备中，FL2D-10-822 也常用于高频开关电源、负载开关和功率控制电路中。其优异的性能有助于提高设备的能效和稳定性。

IXYS IXFN82N10T、Infineon IPB082N10N G、ON Semiconductor FDP82N10