时间：2025/9/14 4:40:33
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PQMD16Z 是一款由东芝（Toshiba）制造的功率MOSFET模块，专为高功率应用设计。该模块采用先进的MOSFET技术，具有较低的导通电阻和高效的功率转换能力。PQMD16Z广泛应用于工业电源、电动工具、电动汽车以及各类电机控制系统中，适用于需要高效率、高可靠性的场合。
类型：功率MOSFET模块
沟道类型：N沟道
漏源电压（Vds）：600V
漏极电流（Id）：16A
导通电阻（Rds(on)）：0.35Ω
封装类型：模块封装
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
栅极电荷（Qg）：40nC
功率耗散（Pd）：100W
PQMD16Z模块具备多项高性能特性，首先是其高耐压能力，漏源电压可达600V，使得它适用于中高压电源系统。其次，模块的导通电阻仅为0.35Ω，有效降低了导通损耗，提高了整体系统的效率。
此外，PQMD16Z采用了模块化封装设计，具有良好的散热性能和机械强度，适用于高功率密度应用。模块还具备较强的抗干扰能力，能够在复杂的电磁环境中稳定工作。
该模块的栅极电荷为40nC，响应速度快，适合高频开关应用。同时，其工作温度范围宽达-55°C至150°C，适应多种恶劣工作环境，确保系统运行的可靠性。
由于其优异的电气特性和机械设计，PQMD16Z在实际应用中表现出良好的稳定性和长寿命，是工业自动化、电机控制、UPS系统和电源转换设备的理想选择。
PQMD16Z广泛应用于多个领域，包括但不限于：工业自动化设备中的电机驱动控制、高频开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、电动车和电动工具的功率控制系统、太阳能逆变器以及各种高功率电子负载管理电路。该模块的高效能和高可靠性使其成为现代电力电子系统中的关键元件。
PQMD16Z的替代型号包括PQMD15Z、PQMD20Z、SiC功率模块C3M0065065D、以及英飞凌（Infineon）的IPW60R036C7系列MOSFET模块。
