PQ5TS1E 时间：2025/8/28 3:32:18 阅读：6

PQ5TS1E 是一款由 Panjit（强茂股份有限公司）制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率功率转换和开关应用。这款MOSFET采用了先进的沟槽式技术，提供低导通电阻和高开关性能，适用于诸如电源管理、DC-DC转换器、负载开关、马达控制以及电池供电设备等应用。PQ5TS1E 是 N 沟道增强型MOSFET，具有良好的热稳定性和可靠性，适合在多种电子系统中使用。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：100V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：80A
　　导通电阻（RDS(on)）：5.3mΩ（典型值，VGS=10V）
　　功率耗散（PD）：200W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装形式：TO-247
　　工艺技术：沟槽式（Trench）

特性

PQ5TS1E 功率MOSFET具备多项优异特性，适用于高性能功率管理应用。首先，其低导通电阻（RDS(on)）为5.3mΩ，这有助于减少导通损耗，提高系统效率，特别是在高电流应用中效果显著。其次，该器件的漏源电压（VDS）额定为100V，连续漏极电流可达80A，适用于中高功率级别的开关应用。
　　此外，PQ5TS1E采用沟槽式（Trench）工艺技术，提高了芯片的电流密度和导通性能，同时增强了热稳定性和可靠性。其封装形式为TO-247，这种封装不仅具备良好的散热能力，还便于安装在散热片上，适用于高功率密度设计。
　　该MOSFET的栅源电压范围为±20V，提供了良好的栅极驱动兼容性，适用于多种驱动电路。其工作温度范围为-55°C至175°C，能够在高温环境下稳定运行，适合工业级和汽车电子等严苛应用环境。
　　总体来看，PQ5TS1E在导通损耗、开关速度和热性能方面达到了良好的平衡，是一款适用于多种高功率应用的高性能MOSFET。

应用

PQ5TS1E 主要用于需要高效功率管理和高电流处理能力的电子系统中。例如，在DC-DC转换器中，该MOSFET可作为主开关元件，实现高效的能量转换。在电源管理系统中，PQ5TS1E可用于负载开关、电池充电控制和电源分配等应用场景。由于其高电流能力和低导通电阻，它也非常适合用于电机控制和逆变器系统中，以提高系统的整体效率。
　　在汽车电子领域，PQ5TS1E可用于车载电源管理系统、电动助力转向系统（EPS）、电池管理系统（BMS）以及车载充电器等应用。其宽工作温度范围和高可靠性使其能够在严苛的汽车环境中稳定运行。
　　此外，PQ5TS1E还可用于工业自动化设备、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及储能系统等高功率应用场合。其优异的导通性能和热管理能力使其成为高效率、高可靠性功率系统设计的理想选择。