类型：功率晶体管
　　封装：TO-252
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：200V
　　最大集电极电流（Ic）：10A
　　最大功耗（Ptot）：40W
　　增益（hFE）：约80-160（具体取决于型号后缀）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

PQ200WNA1ZPH 功率晶体管具备多项优异的电气和热性能，适用于高功率应用场景。
　　首先，该晶体管的最大集电极-发射极电压为 200V，能够在高压环境下稳定工作。这使其非常适合用于高电压电源和工业设备中的功率控制电路。
　　其次，最大集电极电流为 10A，具有较高的电流承载能力，可以驱动大功率负载，如电机、继电器和加热元件。结合其高耐压能力，PQ200WNA1ZPH 可以胜任多种高要求的开关和放大任务。
　　该器件的 TO-252 封装设计有助于提高散热效率，确保在高功率工作条件下仍能保持良好的稳定性。TO-252 封装的金属背部可以直接焊接在 PCB 上，提供优异的热传导路径，从而有效降低芯片温度，延长器件使用寿命。
　　此外，PQ200WNA1ZPH 的 hFE（电流增益）在特定工作条件下可达 80 至 160，使其适用于中等功率放大电路。该晶体管还具备良好的开关特性，能够快速响应控制信号，减少开关损耗，提高整体系统效率。
　　其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适应各种恶劣环境条件，适用于工业控制、汽车电子、电源模块等领域。在实际应用中，建议配合适当的散热片或散热措施，以确保最佳工作性能和可靠性。

PQ200WNA1ZPH 主要应用于需要高电压和高电流能力的电路中。典型应用包括开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、电机驱动器、继电器控制、LED 照明驱动、逆变器、工业自动化设备以及各种高功率放大电路。由于其良好的热稳定性和封装设计，该晶体管也适用于需要表面贴装工艺的现代电子制造流程。

TIP122, BDW93C, MJF200WNA1ZPH