时间：2025/9/2 5:39:37
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H5PS1G63KFR-S6CR 是由SK Hynix（海力士）生产的一款高性能DRAM（动态随机存取存储器）芯片，主要用于高性能计算、服务器、网络设备以及嵌入式系统等领域。该芯片采用先进的制造工艺，具有高密度存储、低功耗和高速数据访问的特点。
容量：1Gb
组织结构：16M x 64
电压：1.35V
封装：168-ball FBGA
接口类型：DDR3 SDRAM
时钟频率：最高可达800MHz
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
H5PS1G63KFR-S6CR 的主要特性包括低电压设计（1.35V），有助于降低整体功耗，适用于对能效要求较高的系统；采用168-ball FBGA封装，具有良好的电气性能和机械稳定性，适合高密度PCB布局；支持自动刷新和自刷新模式，确保数据在断电或低功耗模式下的完整性；该芯片支持工业级温度范围（-40°C 至 +85°C），适用于各种严苛环境条件下的稳定运行；此外，它还具备出色的兼容性，可与多种主流控制器配合使用，提升系统设计的灵活性。
这款DRAM芯片在数据传输方面表现出色，其支持的800MHz时钟频率使得数据带宽大幅提升，从而满足高性能计算和高速数据处理的需求。同时，H5PS1G63KFR-S6CR 还具备良好的抗干扰能力，能够在复杂电磁环境中保持稳定工作。其内置的突发长度控制和延迟锁定环（DLL）技术，确保了数据传输的准确性和同步性，降低了系统时序调整的难度。
H5PS1G63KFR-S6CR 被广泛应用于服务器、高端网络设备（如路由器和交换机）、嵌入式系统（如工业控制设备和医疗仪器）、高性能计算设备以及消费类电子产品（如高端图形卡和智能电视）等。由于其高可靠性和工业级温度支持，特别适合对系统稳定性要求较高的工业和通信领域。
H5PS1G63AFR-S6C, H5PS1G63EFR-S6C, H5PS1G63FFR-S6C
