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H5PS1G63KFR-S6CR 发布时间 时间:2025/9/2 5:39:37 查看 阅读:4

H5PS1G63KFR-S6CR 是由SK Hynix(海力士)生产的一款高性能DRAM(动态随机存取存储器)芯片,主要用于高性能计算、服务器、网络设备以及嵌入式系统等领域。该芯片采用先进的制造工艺,具有高密度存储、低功耗和高速数据访问的特点。

参数

容量:1Gb
  组织结构:16M x 64
  电压:1.35V
  封装:168-ball FBGA
  接口类型:DDR3 SDRAM
  时钟频率:最高可达800MHz
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

H5PS1G63KFR-S6CR 的主要特性包括低电压设计(1.35V),有助于降低整体功耗,适用于对能效要求较高的系统;采用168-ball FBGA封装,具有良好的电气性能和机械稳定性,适合高密度PCB布局;支持自动刷新和自刷新模式,确保数据在断电或低功耗模式下的完整性;该芯片支持工业级温度范围(-40°C 至 +85°C),适用于各种严苛环境条件下的稳定运行;此外,它还具备出色的兼容性,可与多种主流控制器配合使用,提升系统设计的灵活性。
  这款DRAM芯片在数据传输方面表现出色,其支持的800MHz时钟频率使得数据带宽大幅提升,从而满足高性能计算和高速数据处理的需求。同时,H5PS1G63KFR-S6CR 还具备良好的抗干扰能力,能够在复杂电磁环境中保持稳定工作。其内置的突发长度控制和延迟锁定环(DLL)技术,确保了数据传输的准确性和同步性,降低了系统时序调整的难度。

应用

H5PS1G63KFR-S6CR 被广泛应用于服务器、高端网络设备(如路由器和交换机)、嵌入式系统(如工业控制设备和医疗仪器)、高性能计算设备以及消费类电子产品(如高端图形卡和智能电视)等。由于其高可靠性和工业级温度支持,特别适合对系统稳定性要求较高的工业和通信领域。

替代型号

H5PS1G63AFR-S6C, H5PS1G63EFR-S6C, H5PS1G63FFR-S6C

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