时间：2025/8/28 2:51:05
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PQ200WNA1ZP 是一款由 Power Integrations（PI）公司推出的高效能、集成式功率开关器件，专为高功率密度和节能应用设计。该器件集成了高压MOSFET和控制器，适用于电源转换系统，如AC-DC适配器、充电器、LED照明驱动器以及工业电源设备。PQ200WNA1ZP 采用Power Integrations的InnoSwitch? 技术，具备高集成度、高效率和出色的热性能。
封装类型：InSOP-24D
输入电压范围：90 VAC - 265 VAC
输出功率：最高可达200W
开关频率：约100kHz
MOSFET耐压：725V
效率：大于94%
工作温度范围：-40°C 至 150°C
反馈方式：同步整流反馈
保护功能：过温保护、过流保护、短路保护
PQ200WNA1ZP 的核心优势在于其高度集成的设计，集成了高压MOSFET、PWM控制器以及同步整流控制器，减少了外部元件数量，提高了系统可靠性和设计灵活性。
该器件采用了Power Integrations独有的FluxLink? 技术，实现了初级侧和次级侧之间的数字反馈通信，无需传统的光耦合器，从而提升了响应速度和稳定性。
此外，PQ200WNA1ZP 支持准谐振工作模式，降低了开关损耗和电磁干扰（EMI），有助于实现高效率和低成本的电源设计。
其内置的多重保护机制，如过温保护（OTP）、过流保护（OCP）、过压保护（OVP）和欠压锁定（UVLO），确保了系统在各种异常情况下的安全性。
器件的封装采用InSOP-24D，具备良好的散热性能和高爬电距离，适合在高密度和高可靠性要求的环境中使用。
PQ200WNA1ZP 主要用于中高功率的电源转换系统，包括但不限于：笔记本电脑适配器、电动工具充电器、LED照明驱动器、工业电源模块、医疗设备电源、电池充电系统以及高功率密度的DC-DC转换器。
其高效的能量转换能力和良好的热管理性能，使其特别适用于对体积、效率和可靠性有较高要求的应用场景。
INN200WNA1ZP, INN200WNA1ZP-TLX, PQ200WNA1ZPA2
