AXT580124SE1 是一款高性能的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于开关和功率管理应用。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,适用于需要高效能和高可靠性的电路设计。
AXT580124SE1 的主要特点是其低 Rds(on)(导通电阻),这有助于减少功率损耗并提高整体系统效率。此外,该器件还具备良好的抗静电能力(ESD 保护)和坚固的封装设计,能够适应各种严苛的工作环境。
类型:MOSFET
极性:N-Channel
Vgs(栅源电压):±20V
Vds(漏源电压):60V
Rds(on)(导通电阻):1.2mΩ(典型值,Vgs=10V)
Id(持续漏极电流):120A
Ptot(总功耗):180W
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装形式:TO-247-3
AXT580124SE1 具备以下显著特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可有效降低传导损耗,提高系统效率。
2. 高额定电流和电压,使其能够胜任大功率应用场景。
3. 快速开关速度,支持高频操作,适合现代高效能电源转换器。
4. 优秀的热性能,确保在高负载条件下的稳定运行。
5. 耐用且坚固的封装设计,增强对恶劣环境的适应能力。
6. 内置 ESD 保护功能,提升产品的可靠性。
7. 广泛的工作温度范围,满足工业及汽车领域的需求。
AXT580124SE1 广泛应用于以下领域:
1. 工业电源和电机驱动控制。
2. 太阳能逆变器和储能系统。
3. 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)中的 DC-DC 转换器。
4. 不间断电源(UPS)系统。
5. LED 照明驱动器。
6. 笔记本电脑适配器和其他消费类电子设备中的高效能电源管理。
7. 高效 SMPS(开关模式电源)设计。
该器件凭借其优异的性能,特别适合需要高效率、高可靠性和高功率密度的应用场景。
IRF260N
FDP18N06L
STP120NF06L