RD51FM 是一款由 Rohm(罗姆)公司生产的 N 沟道功率 MOSFET,广泛应用于各种电源管理和开关电路中。这款器件以其高效的导通性能和快速的开关响应时间著称,适用于高频率工作的 DC-DC 转换器、负载开关以及电机驱动等场景。RD51FM 采用小型表面贴装封装,使其适合于空间受限的应用。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):30V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):4.8A(在25°C环境温度下)
导通电阻(Rds(on)):最大值为26mΩ(当Vgs=10V时)
功耗(Pd):3W
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:SOP(表面贴装封装)
RD51FM 具有较低的导通电阻(Rds(on)),这使得其在导通状态下能够减少功率损耗并提升整体效率。此外,它的栅极电荷量较小,因此可以实现更快的开关速度,从而降低开关损耗。
该器件设计用于高频操作,在 DC-DC 转换器和同步整流电路中表现出色。同时,RD51FM 还具有良好的热稳定性,能够在较宽的温度范围内保持稳定的工作状态。
得益于其低输入电容(Ciss)和输出电容(Coss),RD51FM 可以显著减少高频应用中的能量损失,并且易于与驱动电路匹配。它还具备较强的过载能力和短路保护能力,适合在恶劣环境下使用。
Rohm 的 RD51FM 还采用了环保材料制造,符合 RoHS 标准,适用于对环境要求较高的电子产品。
RD51FM 常用于多种电源管理应用,例如便携式设备中的 DC-DC 升压或降压转换器、电池管理系统、负载开关以及马达控制电路等。此外,它也适用于需要高效能、小体积的工业自动化设备及汽车电子系统。
Si4446BDY-T1-E3, FDN340P