类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：650 V
　　漏源导通电阻（Rds(on)）：1.8 Ω（最大值，@ Vgs=10V）
　　栅源电压（Vgs）：±20 V
　　连续漏极电流（Id）：1.7 A（@ Tc=25°C）
　　脉冲漏极电流（Idm）：6.8 A
　　栅极阈值电压（Vth）：3.0 V ~ 4.0 V
　　输入电容（Ciss）：520 pF @ Vds=25V
　　输出电容（Coss）：95 pF @ Vds=25V
　　反向恢复时间（trr）：30 ns
　　最大工作结温（Tj）：150 °C
　　封装形式：PowerFLAT 5x6 (5x6mm)
　　安装类型：表面贴装（SMD）

ST180S06P1VPBF采用了ST专有的超级结（Super Junction）高压MOSFET工艺，显著降低了传统平面型MOSFET在高耐压条件下的导通电阻与开关损耗之间的折衷问题。这种结构通过交替排列P型和N型柱状区域，实现了更高的掺杂浓度而不牺牲击穿电压，从而在650V额定电压下获得极低的Rds(on)，有效提升功率转换效率。
　　该器件具有非常优异的动态性能，其栅极电荷（Qg）低至17nC（典型值，@ Vds=600V, Id=1.7A），同时米勒电荷（Qsw）也控制在较低水平，有助于减少高频开关过程中的驱动损耗和电磁干扰（EMI）。此外，器件的输出电容（Coss）较小，进一步降低了关断时的能量损耗，特别适合用于LLC谐振变换器、有源钳位反激（Active Clamp Flyback）等软开关拓扑。
　　ST180S06P1VPBF的热性能优越，得益于PowerFLAT 5x6封装底部的大面积裸露焊盘设计，能够高效地将热量传导至PCB，实现良好的热管理。该封装还具备较小的外形尺寸，适用于高度集成化的电源模块设计。器件内部经过优化的元胞布局和场板结构增强了电场分布均匀性，提高了雪崩能量承受能力和dv/dt抗扰度。
　　此MOSFET具有较强的抗短路能力，并在高温环境下仍保持稳定的电气参数。其栅氧化层经过严格工艺控制，确保长期使用的可靠性和耐久性。产品通过AEC-Q101认证，表明其在温度循环、高温反偏（HTRB）、高压蒸煮（H3TRB）等严苛测试条件下均能保持性能稳定，适用于汽车电子及工业级应用环境。

ST180S06P1VPBF主要面向中高功率开关电源系统，尤其适用于需要高能效和小型化设计的场合。常见应用包括通信电源中的DC-DC转换器、服务器和数据中心的AC-DC电源单元、光伏逆变器中的辅助电源电路以及高端LED恒流驱动电源。由于其具备650V的高击穿电压和良好的开关特性，该器件常被用作主开关管或同步整流管出现在反激式（Flyback）、正激式（Forward）、半桥（Half-Bridge）及LLC谐振变换器拓扑中。
　　在消费类高亮度LED照明系统中，ST180S06P1VPBF可用于隔离式开关电源的一次侧开关元件，提供稳定的能量传输并提高整体光效。在工业自动化设备中，它也被广泛应用于PLC电源模块、传感器供电单元等对长期运行稳定性要求较高的场景。
　　此外，该器件还可用于电动汽车车载充电机（OBC）内的辅助电源部分，或作为电池管理系统（BMS）中隔离电源的开关元件。由于通过了AEC-Q101认证，其在汽车电子领域的适用性得到了充分验证，能够在-40°C至+150°C的宽温度范围内稳定工作，满足严苛的车载环境要求。
　　对于追求高功率密度的设计者而言，ST180S06P1VPBF的小封装尺寸与高性能组合使其成为替代传统TO-220或DPAK封装MOSFET的理想选择，有助于缩小PCB面积并简化散热设计。

STF180S06P1
　　STW180S06P1
　　STL180S06P1