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PQ1X151M2ZP 发布时间 时间:2025/8/27 15:07:27 查看 阅读:21

PQ1X151M2ZP 是一款由ROHM(罗姆)公司制造的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理、DC-DC转换器以及负载开关等电路中。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻、高耐压、高电流容量等优点,适合在高效率和小型化设计中使用。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):20V
  栅源电压(Vgs):±12V
  连续漏极电流(Id):4.2A
  导通电阻(Rds(on)):0.15Ω(最大值)
  封装形式:TSMT4
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C

特性

PQ1X151M2ZP 具备多项优异特性,使其在各种功率管理应用中表现出色。首先,其低导通电阻(Rds(on))仅为0.15Ω,有助于降低导通损耗,提高整体系统效率。此外,该MOSFET支持高达4.2A的连续漏极电流,适用于中高功率负载的应用场景。
  其次,PQ1X151M2ZP 采用TSMT4封装,体积小巧,便于在空间受限的设计中使用,同时具备良好的散热性能。该封装形式也支持表面贴装工艺(SMT),有助于提高生产效率和焊接可靠性。
  另外,该器件具备较高的栅极电压耐受能力,栅源电压可达±12V,使得其在不同驱动条件下均能保持稳定工作。此外,PQ1X151M2ZP 的工作温度范围为-55°C至150°C,适应宽温环境,确保在严苛条件下的稳定运行。
  最后,PQ1X151M2ZP 具有良好的短路和过热保护能力,提升了器件在实际应用中的安全性和可靠性。

应用

PQ1X151M2ZP 主要用于各类便携式电子设备、电池供电系统、DC-DC转换器、负载开关以及电源管理模块中。其低导通电阻和高效率特性使其成为电源转换电路中的理想选择。此外,该MOSFET也广泛应用于汽车电子系统、工业控制设备以及消费类电子产品中,以实现高性能、小型化和节能设计。

替代型号

Si2302DS, AO3400A, FDN340P, IRF7404

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