KTB1241 时间：2025/9/11 11:55:40 阅读：15

KTB1241 是一款由韩国Korean Technology半导体公司生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效率、高频率的电源转换系统，具有低导通电阻和高耐压能力，适用于如电源适配器、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等应用场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极-源极击穿电压(Vds)：60V
　　栅极-源极电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：120A（在Tc=25℃）
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为7.5mΩ（最大值为9mΩ）
　　功耗(Pd)：150W
　　工作温度范围：-55℃至150℃
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

KTB1241 的主要特性之一是其极低的导通电阻，这有助于减少导通损耗并提高系统效率。该器件的漏极-源极电压额定值为60V，允许其在中等功率的电源转换应用中可靠运行。此外，KTB1241 采用TO-252（DPAK）表面贴装封装，具有良好的热性能，可支持高电流操作并有助于散热。该MOSFET还具备快速开关能力，适用于高频开关应用，从而允许使用更小的外部电感和电容元件，减小整体系统尺寸。
　　KTB1241 的栅极驱动电压范围为±20V，使其兼容常见的驱动电路设计。器件内部结构优化，降低了开关损耗，同时提高了耐用性和稳定性。此外，其能够在-55℃至150℃的宽温度范围内工作，适用于各种工业和车载环境。
　　另一个显著优势是其高可靠性，在极端工作条件下仍能保持稳定的性能。KTB1241 设计符合RoHS环保标准，适用于无铅制造工艺。

应用

KTB1241 主要应用于各类高效率电源管理系统中，包括但不限于AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、同步整流器、负载开关以及电机驱动电路。此外，它还可用于电池管理系统（BMS）、不间断电源（UPS）、LED照明驱动器以及工业自动化设备中的功率控制模块。在汽车电子领域，KTB1241 也可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）以及其他需要高可靠性和高效率的功率控制场景。