时间：2025/8/28 10:10:42
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PQ1K503M2ZPH 是一款由Rohm（罗姆）公司生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于需要高效率和低导通电阻的电源管理场合。该器件采用了先进的沟槽工艺，提供了优异的导通性能和热稳定性，适用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及各种功率控制应用。PQ1K503M2ZPH采用SOP（Small Outline Package）封装，具有紧凑的外形尺寸，适合高密度PCB设计。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：5A
导通电阻（RDS(on)）：最大值30mΩ @ VGS=10V
功率耗散（PD）：2W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：SOP8
PQ1K503M2ZPH 具备多项优良特性，使其在功率MOSFET中具有竞争力。首先，其低导通电阻（RDS(on)）为30mΩ，在VGS=10V时可显著降低导通损耗，提高系统效率。这对于需要高效能转换的应用如DC-DC转换器和电池管理系统尤为重要。
其次，该MOSFET的最大漏源电压为30V，能够满足多种中低压功率应用的需求。栅源电压范围为±20V，具备较强的抗电压波动能力，确保在复杂电气环境下稳定运行。
PQ1K503M2ZPH 适用于多种功率电子系统，尤其在需要高效能和低导通损耗的场景中表现出色。常见应用包括DC-DC转换器中的同步整流器、负载开关控制、电池管理系统（如便携式设备和电动工具中的电池保护电路）、电机驱动器、电源管理模块以及各类工业和消费类电子设备的功率控制电路。此外，由于其良好的热稳定性和紧凑的SOP8封装，也适合用于汽车电子系统中的电源管理模块。
Si2302DS, AO3400, IRF7404, FDS6675, NTD5867NL
