GD241B 时间：2025/8/6 19:44:29 阅读：33

GD241B是一款由Giantec（巨旺）半导体公司生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等领域。该器件具有低导通电阻、高耐压和良好的热稳定性，适用于中高功率应用。GD241B采用常见的TO-252（DPAK）封装形式，具备较高的电流承载能力和良好的散热性能。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：40V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：16A
　　脉冲漏极电流（IDM）：64A
　　导通电阻（RDS(on)）：24mΩ（典型值）
　　功耗（PD）：80W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

GD241B MOSFET具有多项优异的电气和热性能特点。首先，其低导通电阻（RDS(on)）仅为24mΩ，这大大降低了导通损耗，提高了整体系统效率，特别适合用于高电流应用如电源转换器和电机驱动器。其次，该器件的漏源耐压为40V，栅源耐压为±20V，能够在较高的电压环境下稳定工作，并具备较强的抗过压能力。此外，GD241B的连续漏极电流可达16A，脉冲电流可达64A，使其能够应对瞬时高负载需求。
　　在封装方面，GD241B采用TO-252（DPAK）封装，具有良好的热管理性能，有助于快速散热，从而提高器件在高功率应用中的稳定性与可靠性。该封装也便于焊接和安装，适用于自动化生产线。GD241B还具备较低的栅极电荷（Qg），有助于提高开关速度并降低开关损耗，适用于高频开关应用如DC-DC变换器、同步整流电路等。
　　此外，GD241B具有较高的抗雪崩能力和良好的短路耐受性，确保在极端工况下器件不易损坏。其工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于工业级和车载电子等多种严苛环境。

应用

GD241B凭借其高性能参数和稳定可靠的工作特性，广泛应用于多个领域。在电源管理系统中，常用于DC-DC转换器、同步整流、电池充电与放电控制等电路。在电机驱动和马达控制应用中，GD241B可作为高效的功率开关元件，用于电动工具、电动车辆和自动化设备中。此外，该器件也适用于负载开关电路，如电源分配系统中的热插拔控制、LED驱动电源和工业自动化控制模块。
　　在通信设备和消费电子产品中，GD241B也可用于高效能电源模块、适配器和多路电源管理电路中。由于其良好的高频响应和低导通损耗，特别适合用于需要高效率、小体积设计的开关电源（SMPS）和便携式设备电源管理方案。在车载电子系统中，GD241B可应用于车载充电器、车灯驱动、电动座椅控制等场景，具备较高的稳定性和适应性。