PZU22B,115 是一款由 NXP Semiconductors 生产的齐纳二极管(Zener Diode),主要用于电压参考和稳压应用。齐纳二极管是一种特殊的二极管,能够在反向击穿区域工作,并维持一个相对稳定的电压。PZU22B,115 具有良好的温度稳定性和精确的电压容差,适用于需要稳定电压的电子电路中。该器件采用SOT23封装,适用于表面贴装技术,适合在空间受限的电路中使用。
类型:齐纳二极管
标称齐纳电压:22V
最大齐纳电流:200mA
功率耗散:300mW
工作温度范围:-65°C ~ 150°C
存储温度范围:-65°C ~ 150°C
封装类型:SOT23
引脚数:3
电压容差:±2%
最大反向漏电流(在特定电压下):100nA(典型值)
PZU22B,115 是一款高精度的齐纳二极管,具有±2%的电压容差,确保了在需要精确电压参考的应用中提供稳定的电压值。该器件的齐纳电压为22V,能够在较大的温度范围内保持稳定的电压输出,具有良好的温度稳定性。PZU22B,115 的最大齐纳电流为200mA,允许在中等功率应用中使用。该器件的封装形式为SOT23,体积小巧,适合用于高密度电路板设计。此外,PZU22B,115 的最大功率耗散为300mW,能够在一定的功耗范围内保持良好的性能。该齐纳二极管在反向击穿区域工作时,能够维持一个恒定的电压,适用于电压参考、稳压、过压保护等电路设计。其低漏电流特性也使其适用于低功耗应用。
PZU22B,115 主要用于需要稳定电压参考的电子电路中,例如在电源管理电路、电压调节器、信号调理电路和测量设备中作为基准电压源。该器件也常用于过压保护电路中,用于限制电路中的电压峰值,保护敏感电子元件免受高电压损坏。此外,PZU22B,115 还可用于模拟电路中的偏置电压设置、逻辑电平转换以及作为比较器的参考电压源。由于其封装小巧,PZU22B,115 也适用于便携式电子设备、工业控制系统和汽车电子系统中的电压稳定需求。
PZU22B,115 的替代型号包括 PZU22B、PZU22BVD 和 PZU22B-S。