时间：2025/6/22 11:38:38
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CPH6104-TL-E 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET，广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关等领域。该器件采用先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和快速的开关速度，能够显著提高系统效率并降低功耗。
其封装形式为 TO-252（DPAK），支持表面贴装技术（SMT），便于自动化生产和高密度设计。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：4.8A
导通电阻（典型值）：40mΩ
总栅极电荷：13nC
开关频率：高达 1MHz
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
CPH6104-TL-E 具有以下主要特性：
1. 超低导通电阻：能够在高电流应用中减少功率损耗。
2. 快速开关性能：适用于高频开关应用，例如 DC-DC 转换器。
3. 高雪崩能力：提供更强的过载保护能力。
4. 热稳定性强：适合高温环境下的长期可靠运行。
5. 小尺寸封装：占用较少 PCB 空间，便于紧凑型设计。
6. 符合 RoHS 标准：环保且满足国际法规要求。
该 MOSFET 可用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流。
2. 工业及消费类电子产品的负载开关。
3. 各类电机驱动电路。
4. LED 驱动器和照明系统。
5. 电池管理与保护电路。
6. 数据通信设备中的信号切换。
IRF7404, FDMT7404, AO7404
