时间：2025/8/27 16:56:17
阅读：12
PQ1K333K是一款由罗姆（Rohm）公司生产的N沟道功率MOSFET，主要用于电源管理和负载开关应用。该器件具备低导通电阻、高耐压和高电流容量的特点，适用于各类电源转换和控制电路。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
漏极电流（Id）：100mA（最大）
导通电阻（Rds(on)）：约3.5Ω（在Vgs=10V时）
封装形式：SOT-23
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
PQ1K333K具有低导通电阻，有助于降低功率损耗并提高效率；
高栅极击穿电压（±20V）确保了器件在复杂环境下的可靠性；
采用SOT-23封装，体积小巧，适用于高密度电路设计；
该器件具备良好的热稳定性和快速开关性能，适合用于高频应用；
内置静电放电（ESD）保护功能，提升了器件的耐用性。
PQ1K333K广泛应用于便携式电子设备中的负载开关控制；
适用于DC-DC转换器、电池管理系统和电源管理模块；
在各类低电压、中等电流的开关电路中表现优异；
可用于信号切换、电机控制和LED驱动等场景；
适合用于需要高可靠性和高效能的电源管理系统。
2N7002, BSS138, FDV301N
