PQ1K333 时间：2025/8/28 2:43:09 阅读：5

PQ1K333是Rohm（罗姆）半导体公司生产的一款N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、开关电路和负载驱动等电子系统中。该器件以其高可靠性、快速开关特性和低导通电阻而受到设计工程师的青睐。PQ1K333采用小型表面贴装封装（如SOT-23或SOT-723），适用于需要高效率和紧凑布局的设计场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：100V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：100mA
　　导通电阻（RDS(on)）：3.3Ω（典型值）
　　功率耗散（PD）：150mW
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：SOT-23

特性

PQ1K333是一款专为高效率和高稳定性设计的N沟道MOSFET。其低导通电阻（RDS(on)）确保在导通状态下功耗最小化，从而提高整体系统效率。该器件支持较高的漏源电压（VDS）达到100V，适合用于中高压开关应用。栅极设计支持±20V的栅源电压（VGS），使其在驱动电路中具有较强的抗干扰能力，确保工作稳定性。
　　该MOSFET采用小型SOT-23封装，适用于高密度PCB布局，同时支持表面贴装工艺，提高生产效率。其额定连续漏极电流为100mA，适合用于低电流开关控制，如LED驱动、继电器控制、小型电机驱动等应用场景。
　　此外，PQ1K333具备良好的热稳定性和抗静电能力，能够在恶劣工作环境下保持稳定运行。其工作温度范围从-55°C到+150°C，适应工业级温度要求，适合用于工业控制、消费电子、汽车电子等多种领域。

应用

PQ1K333广泛应用于各种电子设备中，主要作为低电流开关或信号控制器件使用。常见应用包括LED驱动电路、继电器或小型电机的控制、电源管理电路中的负载开关、电池供电设备中的节能控制电路等。由于其封装小巧，也适合用于便携式电子产品如智能手机、智能手表、无线耳机等设备中的电源切换控制。此外，在工业自动化系统中，该器件可用于PLC输入输出模块的信号隔离与驱动。