时间：2025/6/4 2:28:04
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GA0402H272MXXAP31G 是一款由东芝（Toshiba）生产的 IGBT（绝缘栅双极型晶体管）模块。该器件采用先进的封装技术，适用于工业和电力电子应用中的高效功率转换。IGBT 模块结合了 MOSFET 的高输入阻抗特性和双极型晶体管的低导通压降特性，使其成为高频、高效率功率开关的理想选择。
此型号具有优化的开关性能和热稳定性，适用于逆变器、不间断电源（UPS）、电机驱动和其他需要高功率密度的应用场景。
额定电压：1200V
额定电流：450A
集电极-发射极饱和电压：≤2.0V
门极阈值电压：3.5V~5.5V
最大工作结温：-40°C~150°C
热阻：0.12°C/W
存储温度范围：-55°C~125°C
封装形式：AP31G
GA0402H272MXXAP31G 具有以下主要特性：
1. 高耐压能力，额定电压高达 1200V，能够满足大多数高压应用的需求。
2. 大电流处理能力，额定电流为 450A，适合高功率输出场合。
3. 优化的开关特性，降低了开关损耗并提高了整体效率。
4. 内部集成快速恢复二极管，减少了反向恢复时间，提升了动态性能。
5. 良好的热性能设计，确保在高温环境下长期稳定运行。
6. 封装坚固耐用，具备良好的机械强度和电气隔离性能。
该 IGBT 模块广泛应用于以下领域：
1. 工业用变频器和伺服驱动系统。
2. 新能源领域，例如太阳能逆变器和风力发电系统。
3. 不间断电源（UPS）设备，用于保护关键负载。
4. 电动汽车及混合动力汽车中的电机控制器。
5. 焊接设备和其他需要高效功率转换的工业设备。
GA0402H272MXXAP32G, GA0402H272MXXAP33G
