时间：2025/8/28 9:29:40
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PQ1K253M2ZP 是一款由 Rohm（罗姆）公司生产的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高效率电源管理应用，如DC-DC转换器、负载开关、电机控制和电池供电设备。该器件采用高性能硅工艺制造，具有低导通电阻（RDS(on)）、高耐压和大电流承载能力，有助于提高系统效率并减少热量产生。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(VDS)：20V
栅源电压(VGS)：±12V
连续漏极电流(ID)：6A（在TC=25°C时）
脉冲漏极电流(IDM)：24A
导通电阻(RDS(on))：最大25mΩ（在VGS=4.5V时）
功率耗散(PD)：2.5W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：TSMT6（热增强型表面贴装）
PQ1K253M2ZP 的核心特性之一是其非常低的导通电阻（RDS(on)），这有助于显著降低导通状态下的功率损耗，从而提高整体系统效率。其RDS(on)值在VGS=4.5V时仅为25mΩ，适用于低电压驱动电路。
该MOSFET采用了先进的沟槽式硅技术，使得在保持高电流承载能力的同时实现更小的芯片尺寸，从而降低封装成本并提高可靠性。
器件具备出色的热稳定性，其热增强型TSMT6封装能够有效散热，支持在高电流负载下稳定工作。同时，PQ1K253M2ZP具有较低的栅极电荷（Qg），使其适用于高频开关应用，减少开关损耗。
此外，该MOSFET具备良好的抗雪崩能力和过载保护特性，能够在极端工作条件下保持稳定运行，适合工业和汽车电子等高可靠性要求的应用场景。
由于其低驱动电压（可工作在4.5V栅极驱动电压下），PQ1K253M2ZP非常适合与现代微控制器和数字电源控制器配合使用，简化电路设计并提升系统集成度。
PQ1K253M2ZP 广泛应用于各种电源管理系统和功率控制电路中，包括但不限于DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、马达驱动电路、LED照明驱动器以及便携式电子设备中的高效电源模块。
在工业自动化领域，该MOSFET可用于PLC模块、传感器电源管理、伺服电机控制等场景。
在汽车电子中，PQ1K253M2ZP适用于车载充电系统、车身控制模块（BCM）、车灯控制系统和电池管理系统（BMS）等应用。
此外，该器件也适用于消费类电子产品，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑、无线充电器等，用于提高能效和延长电池续航时间。
SiSS14DN-T1-GE3, BSC060N04LS5AG, AO4406A, FDMS86101
