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IKD06N60RA 发布时间 时间:2025/4/30 9:02:09 查看 阅读:7

IKD06N60RA 是一款由 Infineon(英飞凌)推出的 N 沣道通 MOSFET。该器件采用了先进的沟槽式技术,具有低导通电阻和高开关速度的特点,非常适合用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等应用领域。
  这款 MOSFET 的电压等级为 600V,能够满足高压应用场景的需求,同时其最大导通电阻较低,有助于提高系统的效率。

参数

最大漏源电压:600V
  连续漏极电流:6A
  导通电阻(典型值):150mΩ
  栅极电荷:24nC
  开关速度:快速
  封装类型:TO-220-FP

特性

IKD06N60RA 的主要特性包括:
  1. 高电压耐受能力:600V 的额定漏源电压使其适用于各种高压应用环境。
  2. 低导通电阻:150mΩ 的典型导通电阻可以降低功率损耗,提高系统效率。
  3. 快速开关性能:较小的栅极电荷和较低的开关损耗使其在高频开关应用中表现出色。
  4. 热稳定性:采用 TO-220-FP 封装,具有良好的散热性能,适合长时间运行。
  5. 高可靠性:通过了严格的测试和验证流程,确保在恶劣环境下仍能稳定工作。
  这些特性使 IKD06N60RA 成为工业和消费类电子产品的理想选择。

应用

IKD06N60RA 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS):由于其高电压和低导通电阻特性,非常适合用作功率开关。
  2. 电机驱动:可用于控制电机的速度和方向,提供高效稳定的驱动能力。
  3. DC-DC 转换器:在降压或升压转换电路中作为主开关元件。
  4. 工业自动化设备:如变频器、逆变器等需要高效功率控制的场景。
  5. 家电产品:例如空调、冰箱中的压缩机驱动电路。
  总之,任何需要高效功率控制和快速开关的应用场合都可以考虑使用 IKD06N60RA。

替代型号

IKW60N60E, IRFP460, STP60NF06L

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IKD06N60RA参数

  • 数据列表RC-Drives IGBT Prod Brief
  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列TrenchStop™
  • IGBT 类型沟道
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)600V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)2.1V @ 15V,6A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)12A
  • 功率 - 最大100W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装PG-TO252-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IKD06N60RAATMA1SP000729342