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MT47H64M16HR-25E:H 发布时间 时间:2025/6/19 6:07:14 查看 阅读:4

MT47H64M16HR-25E:H 是一款由 Micron(美光)生产的 DDR3 SDRAM 芯片。该芯片采用 FBGA 封装形式,广泛应用于计算机、服务器和其他需要高性能内存的设备中。DDR3 技术以其高带宽和低功耗著称,适用于需要快速数据传输的应用场景。
  这款芯片具有较高的时钟频率,支持更高的数据吞吐量,并且在节能模式下表现出色,有助于降低整体系统能耗。

参数

类型:DDR3 SDRAM
  容量:512Mb (64M x 8)
  位宽:x8/x16
  工作电压:1.35V
  速度等级:-25E (CL=11, tRC=47.25ns)
  封装形式:FBGA
  引脚数:96-ball
  数据速率:1600Mbps
  温度范围:0°C 至 85°C

特性

MT47H64M16HR-25E:H 提供了高效的存储性能,其主要特点包括:
  1. 高速数据传输能力:支持 1600 Mbps 的数据速率,满足现代计算需求。
  2. 低功耗设计:使用 1.35V 工作电压,相比传统 DDR2 内存进一步降低了功耗。
  3. 先进的封装技术:采用 FBGA 封装,确保芯片在紧凑空间内的稳定性和散热性能。
  4. 强大的可靠性:通过严格的测试流程,保证在各种工作条件下的稳定运行。
  5. 广泛兼容性:支持 JEDEC 标准的 DDR3 接口规范,便于集成到多种系统架构中。

应用

该芯片适合用于对内存性能要求较高的场合,例如:
  1. 台式电脑和笔记本电脑中的主内存模块。
  2. 企业级服务器和工作站的内存扩展。
  3. 嵌入式系统和工业控制设备中的数据缓存。
  4. 网络通信设备中的高速数据缓冲。
  5. 图形处理单元 (GPU) 中的帧缓冲区。

替代型号

MT47H64M16HR-25:E MT47H64M16HR-25:B MT47H64M16HR-25:A

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MT47H64M16HR-25E:H参数

  • 标准包装1,000
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭存储器
  • 系列-
  • 格式 - 存储器RAM
  • 存储器类型DDR2 SDRAM
  • 存储容量1G(64M x 16)
  • 速度2.5ns
  • 接口并联
  • 电源电压1.7 V ~ 1.9 V
  • 工作温度0°C ~ 85°C
  • 封装/外壳84-TFBGA
  • 供应商设备封装84-FBGA(8.0x12.5)
  • 包装托盘