时间：2025/8/28 2:00:20
阅读：15
PQ1CZ41H2FPH 是一款由Rohm（罗姆）公司生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于需要高效能和高可靠性的电路中。这款MOSFET具有低导通电阻、高耐压、快速开关特性等优点，适合用于DC-DC转换器、电源管理模块、电机控制和负载开关等应用。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏极电流（ID）：40A
最大漏源电压（VDS）：60V
导通电阻（RDS(on)）：22mΩ @ VGS=10V
栅极电压范围：-20V~+20V
功耗：80W
封装类型：TO-220F
PQ1CZ41H2FPH MOSFET具有多项优异的电气特性。其低导通电阻（RDS(on)）为22mΩ，在VGS为10V时，有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件的耐压能力达到60V，能够支持多种中高功率应用。此外，PQ1CZ41H2FPH的快速开关特性使其在高频工作条件下表现出色，从而减少了开关损耗并提升了整体性能。
在可靠性方面，该MOSFET采用了Rohm的先进制造工艺，具备良好的热稳定性和抗冲击能力，能够在严苛的环境条件下稳定工作。其TO-220F封装不仅提供了良好的散热性能，还具备较强的机械强度，适合工业级和汽车级应用。
为了确保安全和稳定的运行，PQ1CZ41H2FPH还具备过热保护和过流保护功能，防止因异常工作条件导致器件损坏。这些特性使其成为电源转换、电机控制、电池管理系统以及工业自动化设备中的理想选择。
PQ1CZ41H2FPH MOSFET主要应用于各类电源管理和功率控制电路中，包括但不限于DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电池充电器、负载开关、工业控制系统和汽车电子设备。其高效率和高可靠性的特点使其在需要高性能功率器件的场合中表现出色。
R6004END、SiR862ADP、FDMS86181、FDMS86180
