时间：2025/10/11 5:19:11
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24FTZ-RSM1-GAN-1-TB是一款由Qorvo公司推出的高性能氮化镓（GaN）功率放大器模块，专为宽带射频（RF）应用设计。该器件基于Qorvo先进的GaN-on-SiC（碳化硅基氮化镓）技术制造，具有高效率、高功率密度和优异的热性能，适用于需要在宽频率范围内实现稳定输出的通信系统。该模块集成度高，内部包含匹配网络，简化了外部电路设计，便于工程师快速部署于雷达、电子战、测试测量设备以及民用和军用无线通信系统中。其紧凑的表面贴装封装形式（SMT）有助于节省PCB空间，同时支持自动化装配流程，提升生产效率。
该器件的工作频率范围覆盖从直流到6 GHz以上，具备出色的线性度与增益平坦度，适合处理复杂的调制信号。由于采用GaN技术，它能在较高的电压下工作（典型漏极电压为28V），从而实现比传统LDMOS器件更高的功率附加效率（PAE），降低系统功耗和散热需求。此外，24FTZ-RSM1-GAN-1-TB内置了全面的保护机制，如过温保护、过流保护和静电放电（ESD）防护，增强了在恶劣环境下的可靠性与鲁棒性。
型号：24FTZ-RSM1-GAN-1-TB
制造商：Qorvo
技术工艺：GaN-on-SiC
工作频率范围：DC - 6 GHz
输出功率：典型30 dBm (1W)
增益：典型22 dB
电源电压：28 V
输入/输出阻抗：50 Ω
封装类型：表面贴装模块
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
ROHS合规性：符合
24FTZ-RSM1-GAN-1-TB采用Qorvo成熟的GaN-on-SiC半导体工艺，赋予其卓越的高频性能和高功率处理能力。GaN材料本身具有宽禁带特性，使得器件能够承受更高的电场强度，从而在较小的芯片尺寸下实现更高的击穿电压和功率密度。相比传统的砷化镓（GaAs）或硅基LDMOS放大器，该模块在相同体积下可提供更高输出功率和效率，特别适合对尺寸、重量和功耗（SWaP）敏感的应用场景，例如移动基站前端、无人机通信链路和便携式战术电台。
该模块内部已集成了输入和输出端的宽带匹配网络，使其在整个工作频段内保持良好的输入回波损耗（S11）和输出回波损耗（S22），通常优于-10 dB，减少了用户在外部进行复杂阻抗匹配设计的需求。同时，其增益平坦度控制在±1 dB以内，确保在宽频带操作时信号不失真，适用于多载波和宽带数字调制信号（如OFDM、QAM等）的放大任务。
热管理方面，得益于SiC衬底优异的导热性能，该器件能有效将工作时产生的热量传导至PCB，结合推荐的接地焊盘布局设计，可实现高效的散热路径。数据手册建议使用足够面积的铜箔和多个过孔连接至地层以增强散热效果。此外，模块具备内置的偏置控制电路，支持稳定的静态工作点设置，并可通过外部电阻调节栅极偏压，实现对工作模式（如A类或AB类）的灵活配置，以平衡效率与线性度之间的关系。
在可靠性方面，该器件通过了严格的工业级和军事标准测试，具备良好的抗冲击、抗振动能力和长期稳定性。其ESD耐受能力达到HBM 1000V以上，适合在非理想环境下部署。整体设计兼顾高性能与易用性，是现代宽带射频系统中理想的中等功率放大解决方案。
24FTZ-RSM1-GAN-1-TB广泛应用于需要宽带、高效射频放大的系统中。常见用途包括电子战（EW）系统中的干扰机和侦测设备，用于在宽频段内快速响应并放大对抗信号；雷达系统中的发射前端，特别是在相控阵雷达中作为单元模块使用，发挥其高功率密度和良好热性能的优势；测试与测量仪器，如矢量网络分析仪或信号发生器的输出级扩展，提高测试系统的动态范围和驱动能力。
在民用领域，该器件可用于宽带无线基础设施，如5G毫米波回传链路、点对点微波通信系统的前置放大或驱动级；也可用于工业、科学和医疗（ISM）频段设备，如射频加热、等离子体生成或激光驱动电源中的高频激励源。此外，在航空航天与国防通信平台中，因其轻量化和高可靠性的特点，常被选作机载或星载通信终端的关键组件。科研机构也常将其用于实验性射频系统搭建，例如软件定义无线电（SDR）平台或认知无线电原型验证。
RFPA2092DK
CGHV1F025S
