时间：2025/7/1 1:20:49
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FDP047AN08AO 是一款由 Fairchild（现为 ON Semiconductor）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的工艺制造，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适用于多种高效能电源转换应用。
该 MOSFET 的电压等级为 80V，主要面向需要高效率和高可靠性的工业及消费类电子领域。
最大漏源电压：80V
连续漏极电流：47A
导通电阻（Rds(on)）：3.5mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：46nC（典型值）
输入电容：2090pF（典型值）
总功耗：230W
工作温度范围：-55℃至+175℃
FDP047AN08AO 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低传导损耗，提升系统效率。
2. 快速开关特性，适合高频开关应用，减少开关损耗。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的耐用性。
4. 符合 RoHS 标准，环保且无铅设计。
5. 小巧的封装尺寸（DPAK 或 TO-263），便于电路板布局优化。
6. 优秀的热阻性能，能够有效散热以提高可靠性。
FDP047AN08AO 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC 转换器，包括降压和升压拓扑。
3. 电机驱动电路，支持高效的电流控制。
4. 电池保护和负载切换。
5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
6. 电信和网络设备的电源部分。
FDP047N08A, IRF840, BUZ11
