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FDP047AN08AO 发布时间 时间:2025/7/1 1:20:49 查看 阅读:7

FDP047AN08AO 是一款由 Fairchild(现为 ON Semiconductor)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的工艺制造,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,适用于多种高效能电源转换应用。
  该 MOSFET 的电压等级为 80V,主要面向需要高效率和高可靠性的工业及消费类电子领域。

参数

最大漏源电压:80V
  连续漏极电流:47A
  导通电阻(Rds(on)):3.5mΩ(典型值,在 Vgs=10V 时)
  栅极电荷:46nC(典型值)
  输入电容:2090pF(典型值)
  总功耗:230W
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

FDP047AN08AO 具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于降低传导损耗,提升系统效率。
  2. 快速开关特性,适合高频开关应用,减少开关损耗。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的耐用性。
  4. 符合 RoHS 标准,环保且无铅设计。
  5. 小巧的封装尺寸(DPAK 或 TO-263),便于电路板布局优化。
  6. 优秀的热阻性能,能够有效散热以提高可靠性。

应用

FDP047AN08AO 广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流。
  2. DC-DC 转换器,包括降压和升压拓扑。
  3. 电机驱动电路,支持高效的电流控制。
  4. 电池保护和负载切换。
  5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
  6. 电信和网络设备的电源部分。

替代型号

FDP047N08A, IRF840, BUZ11

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