PQ1CN41H2ZPH 时间：2025/8/28 9:39:59 阅读：19

PQ1CN41H2ZPH 是一款由罗姆（Rohm）半导体公司生产的N沟道增强型功率MOSFET，主要用于高效率、高功率密度的电源转换和负载开关应用。该器件采用高性能的硅基工艺制造，具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压和大电流能力，适用于各种工业电源、DC-DC转换器、电机驱动和电池管理系统等应用场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：40V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：41A（在25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：17.5mΩ（最大值，Vgs=10V）
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：H2PQFN（5x6mm）
　　功率耗散（Pd）：120W

特性

PQ1CN41H2ZPH 的核心特性包括低导通电阻，有助于降低功率损耗并提高系统效率。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET结构，具有优异的热稳定性和电流处理能力。此外，其小型H2PQFN封装设计，使得在高密度PCB布局中节省空间，同时具备良好的散热性能。
　　该MOSFET还具备高雪崩能量耐受能力，提高了在极端工作条件下的可靠性。其栅极驱动电压范围较宽（可支持4.5V~20V），兼容多种驱动电路设计，包括由微控制器直接驱动的应用场景。
　　在短路和过热条件下，PQ1CN41H2ZPH 表现出良好的稳定性，适用于需要高可靠性的电源系统。此外，其快速开关特性可降低开关损耗，适用于高频DC-DC转换器和同步整流器等应用。

应用

PQ1CN41H2ZPH 被广泛应用于多种高功率和高效率的电子系统中。例如，它适用于DC-DC降压和升压转换器、同步整流器、负载开关、马达控制器、电池充电管理模块、电源管理系统（PMIC）以及工业自动化设备中的功率开关模块。
　　由于其低导通电阻和良好的热管理能力，该MOSFET特别适合用于需要高电流和高效率的电源转换系统，如服务器电源、通信设备电源、LED驱动器以及电动汽车的电池管理系统等。
　　在消费类电子产品中，PQ1CN41H2ZPH 也可用于高功率快充适配器、移动电源和便携式设备的电源管理单元。其紧凑的封装形式使其成为对空间要求严格的嵌入式系统中的理想选择。