类型：P沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：80V
　　最大漏极电流（ID）：8A
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为25mΩ（在VGS = -10V时）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：-2V至-4V
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）
　　最大功耗（PD）：2.5W

MDT80B08PP-L采用了先进的沟槽栅极技术，实现了非常低的导通电阻（RDS(on)），从而降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体效率。
　　此外，该器件具有较高的电流承载能力和良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，确保系统运行的可靠性。
　　其栅极驱动电压范围较宽，适用于多种驱动电路设计，同时具备良好的开关特性，能够有效减少开关损耗。
　　该MOSFET的封装形式为TO-252（DPAK），具有良好的散热性能，适用于表面贴装技术（SMT），便于在PCB上安装和布局。
　　同时，MDT80B08PP-L具有较高的耐用性和抗过载能力，能够承受瞬态过电流和电压冲击，适合用于工业控制、电源转换、电机驱动等高要求的应用场景。

MDT80B08PP-L广泛应用于各种电源管理系统和功率控制电路中，包括但不限于DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、工业自动化设备、电源适配器以及汽车电子系统等。
　　在DC-DC转换器中，该器件能够提供高效的能量转换，减少功率损耗，提高系统效率。
　　在电机驱动应用中，由于其快速的开关特性和低导通电阻，能够实现对电机的高效控制，提升响应速度和能耗表现。
　　此外，该器件还可用于负载开关、电源分配系统以及高可靠性工业设备中，作为关键的功率控制元件。

Si9410BDY-T1-GE3, FDS6680, IRF9Z24N