时间：2025/7/4 1:32:02
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TESB3R0V18B1X是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的低电压ESD（静电放电）保护二极管阵列。该器件设计用于保护敏感的电子设备免受因静电放电、电气快速瞬变和其它瞬态电压引起的损害。它具有极低的电容特性，适用于高速数据线和高频信号线的保护，广泛应用于消费类电子产品、通信设备和工业控制领域。
该型号采用超小型DFN封装，能够节省PCB空间并提供卓越的电气性能。
类型：ESD保护二极管
工作电压：3.3V
最大箝位电压：18V
峰值脉冲电流：±6A（8/20μs）
电容：0.5pF（典型值）
响应时间：≤1ns
结电容：0.35pF
封装形式：DFN1230-2
工作温度范围：-40℃至+85℃
1. 极低的电容特性，确保对高速数据传输无干扰。
2. 快速响应时间，能够在瞬间抑制瞬态电压尖峰。
3. 高度可靠的ESD防护能力，符合IEC61000-4-2国际标准（接触放电±8kV，空气放电±15kV）。
4. 小型化封装，适合紧凑型设计需求。
5. 双向保护结构，支持双向信号线路保护。
6. 无铅环保设计，符合RoHS规范要求。
1. USB接口、HDMI接口等高速数据传输端口的保护。
2. 移动设备中的
3. 工业自动化设备中的信号传输线路保护。
4. 消费类电子产品的音频、视频输入输出端口防护。
5. 网络通信设备中的以太网端口保护。
6. 医疗设备中的传感器信号线路保护。
TESA3R3V18B1X
TESB3R0V18B2X
TESB3R3V20B1X
