PQ12DZ5UJ00H 时间：2025/8/28 10:01:59 阅读：2

PQ12DZ5UJ00H 是一款由罗姆（ROHM）公司生产的N沟道功率MOSFET，主要用于电源管理和开关电路中。该器件采用高密度沟槽技术，具有低导通电阻和优异的热稳定性，适用于多种高频率和高效率的电源转换应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：12V
　　栅源电压（Vgs）：±8V
　　连续漏极电流（Id）：6.5A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大15mΩ（在Vgs=4.5V时）
　　封装形式：TSMT6
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C

特性

PQ12DZ5UJ00H的主要特性之一是其非常低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少导通损耗并提高整体系统的效率。该MOSFET在4.5V的栅极驱动电压下即可完全导通，使其适用于低电压电源管理系统。
　　此外，PQ12DZ5UJ00H采用了ROHM专有的沟槽结构，增强了器件的电流承载能力和热稳定性。这种结构也有助于提高器件在高频率开关条件下的性能表现。
　　该器件的封装形式为TSMT6，这是一种小型表面贴装封装，适合在空间受限的设计中使用。同时，它具有良好的散热性能，能够在高负载条件下保持稳定的工作状态。
　　由于其出色的电气特性和可靠性，PQ12DZ5UJ00H广泛应用于电池供电设备、DC-DC转换器、负载开关、电源管理模块以及汽车电子系统等场合。

应用

PQ12DZ5UJ00H被广泛应用于各种电源管理领域。例如，它可以用作DC-DC转换器中的主开关器件，以提高转换效率并减少能量损耗。此外，该MOSFET还适用于电池管理系统，用于控制电池的充放电过程，确保电池的安全运行。
　　在负载开关应用中，PQ12DZ5UJ00H可以用来实现快速、高效的电源切换，从而减少待机功耗并延长设备的使用时间。同时，它也可以用于多路电源选择电路，提供可靠的电源切换方案。
　　在汽车电子系统中，这款MOSFET可以用于控制各种电子模块的电源供应，如车载娱乐系统、导航系统以及传感器模块等。由于其高可靠性和良好的温度特性，PQ12DZ5UJ00H能够在恶劣的汽车环境中稳定工作。
　　另外，该器件还适用于便携式电子设备，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑等，用于电源管理和节能控制。