型号：SGT0720SCT
　　类型：N沟道MOSFET
　　封装：DFN2.0x2.0-8L
　　漏源电压VDS：70V
　　栅源电压VGS：±12V
　　连续漏极电流ID（@25°C）：40A
　　脉冲漏极电流IDM：120A
　　导通电阻RDS(on)（max @ VGS=4.5V）：2.0mΩ
　　导通电阻RDS(on)（max @ VGS=10V）：1.6mΩ
　　栅极电荷Qg（typ）：13nC
　　输入电容Ciss（typ）：920pF
　　开启延迟时间td(on)（typ）：8ns
　　关断延迟时间td(off)（typ）：15ns
　　反向恢复时间trr（typ）：16ns
　　工作结温范围TJ：-55°C 至 +150°C
　　热阻结到管壳RθJC：1.2°C/W

SGT0720SCT采用先进的SGT（Split Gate Trench）沟槽技术，这种结构有效降低了传统平面型或普通沟槽MOSFET中存在的电场集中问题，显著提升了器件的击穿电压稳定性和开关速度。该技术通过优化栅极与漏极之间的电场分布，使载流子迁移更加高效，从而实现更低的导通电阻RDS(on)，同时保持良好的栅极控制能力。特别地，SGT工艺使得在相同芯片面积下可以获得更高的电流承载能力和更优的热管理表现。
　　该器件具有极低的栅极电荷（Qg），这直接减少了驱动电路所需的能量，从而降低开关损耗，提高电源系统的整体转换效率。对于高频工作的DC-DC变换器而言，这一点尤为重要，因为它允许使用更高的开关频率而不导致效率大幅下降。同时，较低的输入电容（Ciss）也意味着更快的开关响应速度，有助于减少开关过渡过程中的功率耗散。
　　SGT0720SCT具备优异的热性能，其DFN2.0x2.0-8L封装底部带有裸露焊盘，能够通过PCB上的散热焊盘将热量迅速传导至外部环境，实现高效的热耗散。这一特性使其即使在高负载条件下也能维持较低的工作温度，延长使用寿命并增强系统可靠性。
　　此外，该MOSFET内置体二极管具有较短的反向恢复时间（trr），可有效抑制在同步整流等应用中因二极管反向恢复引起的电压尖峰和电磁干扰（EMI），进一步提升系统稳定性。综合来看，SGT0720SCT凭借其先进的制造工艺、低损耗特性和紧凑封装，是高性能电源设计中的理想选择。

SGT0720SCT主要应用于需要高效能、小体积和高开关频率的电源系统中。其典型应用场景包括各类DC-DC降压变换器（Buck Converter），特别是在服务器主板、通信设备和高端显卡等对供电效率要求极高的场合。由于其低导通电阻和快速开关特性，非常适合用于多相VRM（Voltage Regulator Module）架构中，作为主控开关或同步整流开关使用，以实现大电流输出下的低功耗运行。
　　在便携式消费类电子产品如超薄笔记本电脑、平板电脑和移动电源中，SGT0720SCT可用于电池管理系统的充放电控制回路，以及升降压电源模块中，帮助延长续航时间并缩小整机尺寸。其小型DFN封装非常适合高密度PCB布局需求。
　　在LED照明驱动领域，尤其是高亮度LED恒流驱动电源中，该器件可用作主开关管，提供稳定的电流输出并减少发热。此外，在USB PD快充适配器、Type-C电源模块中，SGT0720SCT也常被用于次级侧同步整流电路，替代传统的肖特基二极管，从而大幅提升转换效率，满足能源规范要求。
　　工业自动化设备、PLC控制器、电机驱动板等也需要高可靠性的功率开关器件，SGT0720SCT因其宽泛的工作温度范围和强抗扰能力，能够在恶劣环境下稳定运行。总体而言，凡是对效率、热管理和空间利用率有较高要求的应用场景，SGT0720SCT均能提供出色的解决方案。

AOZ6321NQI-07
　　AON6244
　　SGT60R02SL
　　LMG5200R02