时间：2025/9/14 19:37:05
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PNE20010ERX 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率电源管理应用设计，具有低导通电阻、高电流能力和快速开关特性。PNE20010ERX 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，能够在高频率下运行，适用于 DC-DC 转换器、电机驱动、电池管理系统以及负载开关等应用。该器件采用紧凑型 PowerFLAT 封装，具有良好的热性能和空间利用率。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：80A
最大漏-源电压（VDS）：200V
导通电阻（RDS(on)）：10mΩ
栅极阈值电压（VGS(th)）：3V
最大功耗（PD）：140W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：PowerFLAT
PNE20010ERX 是一款高性能 N 沟道功率 MOSFET，具有多项优异的电气和热性能特点。首先，其最大漏极电流可达 80A，在 200V 的漏-源电压下仍能稳定工作，使其适用于高功率密度的设计。其次，该器件的导通电阻（RDS(on)）仅为 10mΩ，显著降低了导通损耗，提高了整体效率。
此外，PNE20010ERX 的栅极阈值电压为 3V，支持与标准逻辑电平兼容的栅极驱动电路，简化了驱动设计并降低了系统成本。其快速开关特性有助于减少开关损耗，适用于高频开关应用，如同步整流、DC-DC 转换器和电机控制。
在封装方面，该器件采用 PowerFLAT 封装，具有优良的散热能力，能够在高负载条件下保持稳定运行。该封装还支持表面贴装工艺，提升了 PCB 布局的灵活性和自动化生产的便利性。
该 MOSFET 还具备良好的抗雪崩能力和高耐用性，能够承受瞬态过载和感性负载切换时产生的高能量脉冲，提高了系统的可靠性和稳定性。
PNE20010ERX 广泛应用于需要高效能和高可靠性的功率电子系统中。在电源管理领域，该器件常用于同步整流 DC-DC 转换器、负载开关和电池管理系统，提供高效的能量转换和稳定的输出性能。在电机控制方面，该 MOSFET 可用于 H 桥驱动电路和无刷直流电机控制器，支持快速响应和精确控制。
此外，PNE20010ERX 也适用于工业自动化设备中的功率开关应用，如继电器替代、固态继电器和工业电源模块。在新能源领域，该器件可用于太阳能逆变器、储能系统和电动汽车的车载充电器等应用，提供高效率和紧凑的解决方案。
由于其优异的热性能和小型化封装，该器件也适合空间受限的设计，如便携式电子设备和高密度电源模块。
STP200N4F5AG, IPP200N20N5, IPW65R045CFD7
