RB721Q 时间：2025/8/13 11:52:48 阅读：21

RB721Q 是一款由 Rohm（罗姆）公司生产的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统。这款晶体管具有低导通电阻（Rds(on)），可减少在高电流应用中的功率损耗。RB721Q 通常用于 DC-DC 转换器、负载开关、电池供电设备以及其他需要高效率功率控制的应用中。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流 (Id)：300mA
　　最大漏源电压 (Vds)：20V
　　最大栅源电压 (Vgs)：±12V
　　导通电阻 (Rds(on))：1.2Ω @ Vgs=4.5V
　　功率耗散：200mW
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C

特性

RB721Q 的主要特性之一是其低导通电阻，这有助于在高电流应用中降低功率损耗，提高整体效率。由于其低 Rds(on)，该器件在工作时发热较少，从而提高了系统的可靠性和寿命。
　　此外，RB721Q 具有较高的耐压能力，最大漏源电压为 20V，使其适用于多种电源管理应用。其栅源电压范围为 ±12V，允许在不同的驱动条件下稳定工作。该器件的封装形式为 SOT-23，体积小巧，适合在空间受限的设计中使用。

应用

RB721Q 主要应用于需要高效功率控制的场合，如 DC-DC 转换器、负载开关和电池管理系统。由于其低导通电阻和小封装，该器件特别适合用于便携式电子设备中的电源管理电路，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。
　　在 DC-DC 转换器中，RB721Q 可作为主开关元件，负责高效地将输入电压转换为所需的输出电压。其低 Rds(on) 特性减少了导通损耗，提高了转换效率。