FMH09N90E 时间：2025/7/14 16:10:51 阅读：9

FMH09N90E是一款由富士电机（Fuji Electric）生产的高性能功率MOSFET器件，属于高电压、大电流应用的金属氧化物半导体场效应晶体管。该型号采用TO-3P封装形式，适用于需要高效能开关操作和较高耐压能力的电力电子系统。FMH09N90E主要用于工业电源、逆变器、马达驱动器以及不间断电源等应用场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：900V
　　漏极电流(Id)：9A
　　栅极阈值电压(Vgs(th))：2.5V~4.0V
　　导通电阻(Rds(on))：1.2Ω（最大）
　　工作温度范围：-55°C~+150°C
　　封装类型：TO-3P

特性

FMH09N90E具有多个优良的电气特性和设计优势，使其在各种功率应用中表现出色。首先，其高达900V的漏源电压允许在高压环境下稳定运行，并有效减少系统对额外保护电路的需求。
　　其次，该MOSFET在标准测试条件下漏极电流为9A，能够支持较大的负载能力，同时保持良好的热管理性能。此外，FMH09N90E的栅极阈值电压范围控制在2.5V至4.0V之间，使得控制端接口更加灵活，兼容多种驱动电路设计。
　　其导通电阻（Rds(on)）的最大值为1.2Ω，这在同类产品中表现良好，有助于降低导通损耗并提高整体系统的效率。
　　在可靠性方面，FMH09N90E的工作温度范围从-55°C到+150°C，表明其具备优异的环境适应性，适用于严苛工况下的设备。同时，其TO-3P封装提供了良好的散热性能，有助于维持长期运行的稳定性。
　　这款MOSFET还内置了高效的保护机制，例如过热和过流保护功能，进一步提升系统安全性和使用寿命。

应用

由于其出色的电气特性和可靠性，FMH09N90E广泛应用于多种工业和电力电子产品中。常见的使用场景包括工业自动化控制系统的开关电源模块、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器以及各类高频转换器。此外，它也适用于马达控制电路、电池管理系统（BMS）及照明设备中的功率调节部分。
　　在具体的工程设计中，工程师可以利用FMH09N90E实现高效的直流到交流或直流到直流的能量转换任务，特别是在需要承受较大瞬态电压冲击的应用中表现尤为突出。通过合理设计外围驱动电路，还可以进一步优化功耗和散热效果，从而提升整个系统的性能指标。