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PN3642 发布时间 时间：2023/11/16 18:16:04 查看 阅读：72

类别：分离式半导体产品

目录

概述

类别：分离式半导体产品
家庭：晶体管(BJT) - 单路
晶体管类型：NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大）：500mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：45V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：220mV @ 15mA, 150mA
电流 - 集电极截止（最大）：50nA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：40 @ 150mA, 10V
功率 - 最大：625mW
频率 - 转换：-
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-92-3（标准主体），TO-226
包装：散装

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PN3642参数

  • 标准包装2,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）500mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）45V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）220mV @ 15mA，150mA
  • 电流 - 集电极截止（最大）50nA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)40 @ 150mA，10V
  • 功率 - 最大625mW
  • 频率 - 转换-
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-226-3、TO-92-3 标准主体
  • 供应商设备封装TO-92-3
  • 包装散装

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 

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