时间：2025/9/14 13:34:07
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PMZB290UN,315 是由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的一款双极型晶体管（BJT），属于 NPN 型高频晶体管。该器件主要用于射频（RF）和高频放大器应用，适用于通信设备、无线基础设施和射频功率放大器等高频电路。PMZB290UN,315 采用了先进的制造工艺，具有良好的高频性能和稳定性，能够在高频率下提供高效的信号放大能力。
类型：NPN 双极型晶体管
最大集电极电流（Ic）：100 mA
最大集电极-发射极电压（Vce）：30 V
最大集电极-基极电压（Vcb）：30 V
最大功耗（Ptot）：300 mW
最大工作频率（fT）：250 MHz
封装类型：SOT23
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
增益带宽积（fT）：250 MHz
电流增益（hFE）：在 Ic=2 mA 时，典型值为 100
封装代码：SOT23
PMZB290UN,315 具有出色的高频性能，能够在高达 250 MHz 的频率下提供稳定的放大功能，非常适合用于射频放大器和高频电路设计。其 SOT23 小型封装形式不仅节省空间，还便于表面贴装，适用于高密度 PCB 布局。此外，该晶体管具有良好的线性度和低噪声特性，有助于提高信号质量和系统性能。
该器件的电流增益（hFE）在 2 mA 的集电极电流下典型值为 100，使其在低功耗应用中表现出色。同时，其最大集电极电流为 100 mA，最大集电极-发射极电压为 30 V，能够在中等功率水平下稳定工作。PMZB290UN,315 还具备良好的热稳定性和抗干扰能力，能够在高温环境下保持性能稳定，适用于工业级和通信设备应用。
由于其高频特性和低噪声系数，PMZB290UN,315 常用于无线通信系统的前置放大器、本地振荡器缓冲放大器和混频器电路中。此外，该晶体管的封装形式符合 RoHS 标准，支持环保生产工艺，适用于现代电子制造。
PMZB290UN,315 主要用于射频和高频电子电路中，包括无线通信设备、射频功率放大器、低噪声放大器（LNA）、混频器、本地振荡器缓冲器、射频测试设备以及无线基础设施设备等。它也常用于工业控制、汽车电子和消费类电子中的高频信号放大和处理。由于其良好的线性度和稳定性，该器件在无线基站、Wi-Fi 接入点、射频识别（RFID）系统和卫星通信设备中均有广泛应用。
BC847 NPN, 2N3904, BFQ59, PMBT2369
