2TPE470MAFB 是一款双通道功率 N 沟道 MOSFET,采用 TO-263 封装形式。该器件专为高效能开关应用设计,具备低导通电阻和高电流处理能力的特点,能够满足多种工业和消费类电子需求。
它适用于需要高效、快速切换的场景,例如电机驱动、电源管理、负载开关和电池保护等应用。其优异的电气性能使其成为高效率、高可靠性的解决方案。
最大漏源电压:45V
最大连续漏极电流:9A
最大栅源电压:±20V
导通电阻(典型值):47mΩ
总功耗:1.8W
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
2TPE470MAFB 提供了出色的导通电阻性能,从而减少了传导损耗,提高了系统效率。
此外,其低栅极电荷允许更快的开关速度,有助于减少开关损耗。
该器件还具有热关断保护功能,可在过载情况下提供额外的安全性。
其封装设计紧凑且散热性能良好,非常适合空间受限的应用环境。
由于采用了先进的制造工艺,该元件的稳定性和可靠性得到了显著提升。
2TPE470MAFB 广泛应用于各种电力电子领域,包括但不限于以下方面:
- 电源管理模块中的负载开关
- 直流无刷电机驱动电路
- 电池管理系统中的保护电路
- LED 驱动器
- 工业自动化控制中的信号切换与驱动
- 电信设备中的电源转换
- 消费电子产品中的功率控制单元
2TPE470MA, IRFZ44N, FDP5570N