CCP2B100DTTE 时间：2025/11/7 12:54:54 阅读：7

CCP2B100DTTE 是一款由 Comchip Technology（强茂科技）生产的表面贴装型瞬态电压抑制二极管（TVS Diode），主要用于电路中的静电放电（ESD）保护和瞬态过电压防护。该器件采用先进的半导体工艺制造，具有快速响应时间、低钳位电压和高可靠性等特点，适用于多种对静电敏感的电子设备。CCP2B100DTTE 属于双向 TVS 二极管，能够在正负两个方向上提供对称的过压保护，因此特别适合用于交流信号线或可能承受双向瞬态电压的场合。其封装形式为 SOD-323（也称为 SC-76），是一种小型化、低剖面的表面贴装封装，非常适合空间受限的便携式电子产品设计。该器件广泛应用于消费类电子产品、通信设备、工业控制模块以及汽车电子系统中，以防止雷击感应、电源波动、开关噪声和人体模型静电等瞬态干扰对核心芯片造成损害。

参数

型号：CCP2B100DTTE
　　类型：双向TVS二极管
　　封装：SOD-323
　　击穿电压（Vbr）：11.1V ~ 12.3V
　　反向关断电压（Vrwm）：10V
　　最大钳位电压（Vc）：16V
　　峰值脉冲电流（Ipp）：5A
　　最大峰值脉冲功率（Pppm）：80W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　通道数：单通道
　　极性：双向
　　结电容（Cj）：典型值50pF
　　响应时间：小于1ns

特性

CCP2B100DTTE 具备优异的瞬态电压抑制能力，能够在纳秒级时间内响应外部突波并迅速将电压钳制在安全范围内，从而有效保护后级电路不受损坏。其双向结构设计使其能够应对正负极性的瞬态过电压事件，这在数据线路、音频接口或未确定极性的信号路径中尤为重要。该器件采用了高纯度硅基PN结技术，确保了稳定的击穿特性和良好的热稳定性，在多次浪涌冲击下仍能保持性能一致性。由于其低钳位电压特性，当发生ESD事件时，输出端的残压较低，有助于降低对下游敏感IC的影响。同时，该TVS二极管拥有较小的结电容（典型值50pF），不会对高频信号传输造成明显衰减或失真，因此可广泛应用于USB接口、耳机插孔、按键电路等高频或模拟信号通道的防护设计中。
　　此外，CCP2B100DTTE 采用无铅且符合RoHS环保标准的材料制造，满足现代电子产品对绿色制造的要求。SOD-323封装不仅体积小巧（约1.7mm x 1.25mm），而且具备良好的焊接可靠性和散热性能，适合自动化贴片生产流程。器件可在-55℃至+150℃的宽温范围内稳定工作，适应严苛环境下的应用需求，如车载电子、户外通信模块等场景。其额定80W峰值脉冲功率和5A最大脉冲电流的能力，足以应对IEC61000-4-2 Level 4（±8kV接触放电）级别的静电测试要求，是实现系统级EMC合规性的重要元件之一。