时间：2025/9/14 22:44:43
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PMZ550UNEYL是一款由东芝（Toshiba）生产的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）功率晶体管，适用于高效率电源转换系统。该器件采用先进的沟槽栅极技术，具备低导通电阻和高开关性能，适用于DC-DC转换器、电机驱动器、电源管理单元等应用领域。PMZ550UNEYL采用小型封装设计，具有良好的热性能和电流承载能力。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极电压（Vds）：30V
漏极电流（Id）：10A（最大）
导通电阻（Rds(on)）：5.5mΩ（典型值）
栅极阈值电压（Vgs(th)）：1.5V至2.5V
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：SOP（表面贴装封装）
功率耗散（Pd）：40W
漏极-栅极击穿电压（Vdg）：30V
PMZ550UNEYL的主要特性包括低导通电阻、高电流能力和优异的开关性能。其低Rds(on)值可显著降低导通损耗，提高电源转换效率。该器件采用先进沟槽式MOSFET结构，优化了载流子流动路径，从而降低导通电阻并提升热稳定性。此外，该MOSFET具有快速开关能力，适用于高频开关应用，减少开关损耗，提高系统响应速度。
PMZ550UNEYL还具备良好的热管理和过温保护能力。其封装设计优化了散热路径，使器件在高负载条件下仍能保持稳定运行。该MOSFET的高可靠性使其适用于工业控制、汽车电子、消费类电源适配器等严苛环境。此外，其小型SOP封装节省PCB空间，便于自动化装配，提高生产效率。
该器件在制造过程中采用了符合RoHS标准的材料，满足环保要求，适用于绿色电子产品设计。其高耐用性和稳定性能使其成为高性能电源转换系统中的理想选择。
PMZ550UNEYL广泛应用于各类功率电子设备中，包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机控制器、电池管理系统以及工业自动化设备中的功率开关模块。其优异的导通和开关性能也使其适用于高效能LED驱动电源和便携式电子设备的电源管理电路。
TPH3R30ANL, SiSS158DN, FDMS7610
