时间：2025/8/9 18:52:36
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FMP12N50E是一款由Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、开关电源（SMPS）等高功率电子系统中。这款MOSFET具有较高的耐压能力，适合用于中高功率的应用场景。FMP12N50E采用TO-220封装形式，具有良好的热管理和电气性能。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：500V
栅源电压（VGS）：±30V
漏极电流（ID）：12A（最大）
导通电阻（RDS(on)）：0.38Ω @ VGS = 10V
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TO-220
功率耗散（PD）：60W
栅极电荷（Qg）：24nC
漏极电荷（Qd）：12nC
FMP12N50E MOSFET具有多种优良的电气和物理特性，使其在功率电子设计中具有较高的可靠性和效率。其最大漏源电压为500V，使得该器件适用于高压电源转换系统。导通电阻RDS(on)为0.38Ω，在VGS为10V时，能够有效降低导通损耗，提高系统效率。
该MOSFET的漏极电流额定值为12A，具备较高的电流承载能力，能够在较高负载条件下稳定运行。此外，FMP12N50E的栅极电荷（Qg）为24nC，较低的栅极电荷有助于减少开关损耗，提高开关速度，适用于高频开关应用。
采用TO-220封装形式，FMP12N50E具有良好的散热性能，确保在高功率工作条件下的稳定性。该器件的工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于各种严苛环境条件下的应用。此外，该MOSFET的栅源电压为±30V，具备较强的抗电压波动能力，提高了器件的可靠性。
综合来看，FMP12N50E是一款性能优良的N沟道功率MOSFET，适用于多种高功率、高压应用环境。
FMP12N50E广泛应用于多种电力电子系统中，主要包括：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动器
4. 电源管理系统
5. 高压LED驱动电路
6. 电池充电器
7. 工业自动化设备
8. 家用电器（如电磁炉、变频空调等）
9. 不间断电源（UPS）
10. 太阳能逆变器和储能系统
FQP12N50C, IRFBC40, FQA12N50C, STF12N50M
