GDZJ13C 时间：2025/8/14 11:21:28 阅读：24

GDZJ13C 是一款由GODSEMI（广东芯微电子股份有限公司）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于中高功率开关应用。该器件具有低导通电阻、高效率和良好的热稳定性，适合用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、马达控制等场景。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：30V
　　最大栅源电压(VGS)：±20V
　　最大连续漏极电流(ID)：100A（在TC=25℃）
　　导通电阻(RDS(on))：≤8.8mΩ（当VGS=10V）
　　阈值电压(VGS(th))：2.0V~4.0V
　　工作温度范围：-55℃~150℃
　　封装形式：TO-263（D2PAK）

特性

GDZJ13C 具有较低的导通电阻（RDS(on)），这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高系统效率。其采用先进的沟槽式技术，优化了导通性能和开关速度，适用于高频开关应用。
　　该MOSFET具备较高的电流承载能力，在100A的连续漏极电流下仍能保持稳定工作，适用于大功率电源系统。此外，其栅极驱动电压范围较宽（10V至20V），允许使用标准驱动电路进行控制，提高了设计的灵活性。
　　热性能方面，GDZJ13C采用了TO-263封装，具有良好的散热能力，能够在较高环境温度下可靠运行。其耐高温的封装结构确保了在严苛工况下的长期稳定性，适用于工业级和汽车电子应用。
　　在安全性和可靠性方面，GDZJ13C具有较高的雪崩能量耐受能力，能够承受短时间的过载和瞬态电压冲击。同时，其内部结构设计优化了短路保护能力，降低了因负载异常导致器件损坏的风险。

应用

GDZJ13C 常用于各种功率电子设备中，如同步整流器、DC-DC降压/升压转换器、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、逆变器、负载开关、电源分配系统和汽车电子模块等。
　　在电源管理领域，该器件可作为主开关用于高效能电源转换模块，其低导通电阻有助于提升整体效率，减少散热需求。在电动车或储能系统中，GDZJ13C可作为电池充放电回路的开关元件，支持大电流传输并具备良好的热稳定性。
　　此外，GDZJ13C也可用于工业自动化设备中的马达控制电路，提供快速开关响应和稳定的导通性能，从而提高设备的运行效率和可靠性。其在负载开关中的应用能够实现对负载的精确控制，避免因过载或短路造成的系统故障。