时间：2025/9/14 20:14:44
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PMXB65ENE 是一款由英飞凌（Infineon）推出的功率MOSFET器件，采用增强型硅技术，适用于高效率的电源转换应用。该器件的封装形式为PG-TDSON，具备优异的热管理和电气性能，适用于工业自动化、电源管理、电动工具、家用电器等多种应用场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：60A
最大漏源电压（VDS）：65V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：1.75mΩ（典型值）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装：PG-TDSON
PMXB65ENE 具备低导通电阻特性，能够在高电流负载下保持较低的功率损耗，从而提升整体系统的能效。其采用先进的沟槽栅极技术，优化了开关特性和导通性能，同时降低了开关过程中的能量损耗。
该MOSFET器件的热性能优异，封装设计能够有效将热量从芯片传导至外部环境，从而在高功率应用中保持稳定的工作状态。此外，其宽泛的工作温度范围（-55°C至175°C）确保其在极端环境下仍能可靠运行，适用于如工业控制、电动工具、不间断电源（UPS）等对可靠性要求较高的场景。
PMXB65ENE 还具备较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过电压情况下保持稳定，提升系统的鲁棒性。栅极驱动电压范围较宽（±20V），兼容多种驱动电路设计，同时内置的体二极管提供了良好的反向电压保护能力。
PMXB65ENE 主要应用于需要高效率、高可靠性的电源转换系统，包括但不限于电动工具、直流电源适配器、服务器电源、工业自动化设备、家用电器、不间断电源（UPS）和电池管理系统等。在这些应用中，它能够提供高效的功率控制和良好的热管理性能，确保系统稳定运行。
此外，该MOSFET器件也适用于电机驱动和负载开关应用，能够满足对开关速度和功耗有严格要求的设计需求。由于其低导通电阻和高电流能力，PMXB65ENE 也非常适合用于高功率密度的同步整流器电路中。
PMXB65F, BSC060N06NS5, BSC090N06NS5, BSC070N06NS5
