时间：2025/6/16 22:13:12
阅读：2
SI3948DV-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET 第三代技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合于高频开关电源、DC-DC 转换器、负载开关以及电机驱动等应用领域。
该芯片设计用于提高效率并减少热损耗，同时提供出色的性能和可靠性。其封装形式为小尺寸的 ThinPAK 6x5，有助于实现紧凑型电路设计。
最大漏源电压：20V
连续漏极电流：76A
导通电阻：0.55mΩ（典型值，@ Vgs=10V）
栅极电荷：16nC
开关频率：高达数 MHz
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：ThinPAK 6x5
SI3948DV-T1-GE3 的主要特点是其超低导通电阻 (Rds(on))，仅为 0.55mΩ（在 Vgs=10V 时）。这使得器件在大电流应用中表现出较低的功耗和更高的效率。
此外，TrenchFET 第三代技术优化了芯片的动态性能，包括更低的栅极电荷和输出电荷，从而提高了开关速度并减少了开关损耗。
此器件还具备强大的热性能，能够承受较高的结温（最高 175°C），使其非常适合恶劣环境下的工业和汽车应用。
其小型化封装 ThinPAK 6x5 提供卓越的散热能力，同时节省 PCB 空间，满足现代电子设备对紧凑性和高效性的需求。
SI3948DV-T1-GE3 广泛应用于需要高性能功率开关的场景，包括但不限于以下领域：
1. 高效 DC-DC 转换器设计中的同步整流开关
2. 服务器及通信电源中的功率级管理
3. 笔记本电脑和其他便携式设备的电池管理系统
4. 电动工具、无人机和机器人中的电机控制驱动
5. 汽车电子系统中的负载切换与电源管理
由于其优秀的热特性和电气性能，该器件在高功率密度应用中表现尤为突出。
SI3886DP-T1-GE3, SI3892DP-T1-E3
