类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：70V
　　连续漏极电流（ID）：20A（最大）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：1V至2.5V（典型值为1.7V）
　　导通电阻（RDS(on)）：30mΩ（最大，VGS=10V）
　　功率耗散（PD）：80W
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　封装类型：表面贴装型，具体封装为SOP

WSD20L70DN具有多项优异的电气和物理特性，使其成为高功率应用的理想选择。首先，其低导通电阻（RDS(on)）显著减少了导通损耗，提高了系统的整体效率。其次，该MOSFET具有快速开关能力，降低了开关过程中的能量损耗，使得该器件在高频开关应用中表现出色。
　　此外，WSD20L70DN具备较高的电流承载能力和良好的热稳定性，能够承受瞬时过载电流，适用于要求高可靠性的工业环境。其小型化封装设计不仅节省了PCB空间，还提高了系统集成度。同时，该器件的栅极驱动电压范围较宽，适应多种驱动电路设计，提高了设计的灵活性。
　　该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力，能够在异常工作条件下提供额外的保护，延长器件的使用寿命。其稳定的性能和广泛的工作温度范围(-55°C至+175°C)也使其适用于恶劣环境中的应用，如汽车电子和工业自动化设备。

WSD20L70DN广泛应用于多种高功率电子系统中，包括DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、电源管理模块以及各种工业控制设备。此外，该器件也适用于便携式电子设备的电源管理单元，如笔记本电脑、平板电脑和智能手机的充电电路。由于其高可靠性和优异的导通性能，WSD20L70DN也常用于电动车、太阳能逆变器和不间断电源（UPS）等新能源相关应用。

Si7496DP,TNT20L70,NCE20N70