时间：2025/9/14 19:04:23
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PMXB120EPE 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源转换和功率管理应用。该器件采用先进的Power MOSFET技术，具有低导通电阻、高耐压能力和良好的热稳定性，适用于DC-DC转换器、电机控制、电池管理系统和工业自动化设备等领域。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：120V
最大漏极电流（ID）：120A
导通电阻（RDS(on)）：典型值为 2.7 mΩ（在VGS=10V时）
栅极电荷（Qg）：典型值为 140 nC
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-263（D2Pak）
PMXB120EPE 具有多个优异的电气和热性能特性，确保其在高功率应用中稳定运行。
首先，该器件的低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了整体系统效率。在VGS=10V时，RDS(on)的典型值仅为2.7mΩ，使其适用于高电流负载的应用。
其次，PMXB120EPE具备高耐压能力，最大漏源电压可达120V，适合用于中高电压电源转换系统，如DC-DC转换器和电池管理系统。
此外，该MOSFET采用TO-263（D2Pak）表面贴装封装，具有良好的热管理性能，能够在高功率密度环境下保持较低的工作温度，提高器件的可靠性和寿命。
其栅极电荷（Qg）较低，典型值为140nC，有助于减少开关损耗，提高开关频率下的效率表现。
最后，该器件的工作温度范围广泛，从-55°C至+175°C，适应各种恶劣工作环境，包括工业级和汽车电子应用。
PMXB120EPE 主要应用于需要高效能功率转换和管理的领域，包括但不限于：DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、不间断电源（UPS）、工业自动化控制系统、汽车电子系统（如车载充电器和电动助力转向系统）等。其高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性使其成为高功率密度和高效率设计的理想选择。
STP120N12F7AG, STP120N12F7, STP120NF7
