您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > VUC25-16G02

VUC25-16G02 发布时间 时间:2025/8/5 18:23:45 查看 阅读:28

VUC25-16G02是一款由Vishay Semiconductors制造的高可靠性功率MOSFET模块,主要用于高功率应用,如电源管理、电机控制、逆变器和工业自动化设备。该模块集成了两个N沟道MOSFET晶体管,采用双列直插式封装(DIP),支持高电流和高电压操作,适用于需要高效能和高可靠性的应用场景。

参数

类型:N沟道MOSFET模块
  最大漏极电压(VDS):1600V
  最大漏极电流(ID):25A
  导通电阻(RDS(on)):典型值为0.18Ω
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装类型:双列直插式(DIP)
  栅极电荷(Qg):典型值为250nC
  短路耐受能力:有
  最大功耗:125W
  

特性

VUC25-16G02具备多项高性能特性,首先,其高耐压能力(1600V)和较大的额定漏极电流(25A)使其适用于高功率密度设计。其次,低导通电阻(RDS(on))确保了较低的导通损耗,提高了系统的整体效率。此外,该模块具备良好的热稳定性,能够在恶劣的温度环境下稳定运行,其封装设计支持快速散热,进一步提升了可靠性。
  该模块还具有良好的短路耐受能力,可以在异常工作条件下提供更高的安全性。栅极电荷较低,有助于降低开关损耗,提高开关频率下的性能表现。其DIP封装形式便于安装和维护,适用于各种工业应用和自动化系统。此外,该模块符合RoHS环保标准,满足现代电子设备对环保材料的要求。

应用

VUC25-16G02广泛应用于工业自动化系统、电机驱动器、逆变器、不间断电源(UPS)、高频电源转换器、焊接设备和可再生能源系统(如太阳能逆变器)。其高可靠性和高效能特性使其成为工业控制和高功率电子设备中的关键元件。在电机控制中,该模块能够实现高精度的转速和扭矩控制,提高系统响应速度和稳定性。在逆变器应用中,其低导通损耗和高开关频率特性使其成为高效能逆变器的理想选择。

替代型号

VUC50-16G02, VUC25-12G02, VUC25-16G03

VUC25-16G02推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价